CWDM 100G(53Gbaud PAM4) EMLチップ サンプル提供開始

October, 25, 2021, Durham--三菱電機株式会社は、光トランシーバ用として5℃から85℃で動作可能な半導体レーザダイオードチップ「広動作温度範囲　CWDM 100Gbps（53Gbaud※3 PAM4）EMLチップ」を開発し、11月1日にサンプル提供を開始する。
　光トランシーバにこのチップを4つ搭載することで、データセンタの400Gbps光ファイバ通信を実現する。また、広動作温度範囲の実現により、チップの冷却機構が不要となり、光トランシーバの低消費電力化と低コスト化に貢献する。

新製品の特長
1.独自のハイブリッド導波路構造により、広動作温度範囲での高速動作を実現
･高光出力に優れる埋込型レーザと、高消光比・広帯域に優れるハイメサ型変調器を同一チップ上に集積した三菱独自のハイブリッド導波路構造を採用
･レーザ部および変調器部の設計パラメータを最適化することで、5℃から85℃の広動作温度範囲で53Gbaud PAM4の高速動作を実現

2.広動作温度範囲により、光トランシーバーの低消費電力化と低コスト化に貢献
･広温度範囲で動作することでチップの冷却機構が不要となり、データセンタ内のシステム構成部品である光トランシーバの消費電力とコストの低減を実現

(詳細､https://www.mitsubishielectric.co.jp)