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Imec、Sivers PhotonicsとASM AMICRA、InPレーザとSiPh集積

June, 28, 2021, Leuven--ImecとSivers Photonics (以前のCST Global、Sivers Semiconductors子会社)、ASM AMICRA Microtechnologies,は、Sivers’のInP100プラットフォームからのInP DFBレーザをImecのシリコンフォトニクスプラットフォーム(iSiPP)へのウエハスケール集積成功を発表した。
 ASM AMICRAの最新NANOフリップチップボンダ装置を使い、InP DFBレーザダイオードが、アライメント精度500nmで、300㎜シリコンフォトニクスウエハに結合された。これは、10mWを超えるレーザパワーをSiPhウエハのSiN導波路に再現性のある結合を可能にするものである。パートナーの支援によりImecは、この技術を2021年後半にプロトタイピングサービスとして提供する。これにより、光インタコネクト、LiDAR、バイオメディカルセンシングまでの幅広いアプリケーションでSiPhの採用が加速される。

多くのフォトニックシステムは現在、まだ外部光源に依存している、効率的なオンチップ光源が欠如しているためである。シリコン自体は、効率よく発光しないので、III-V半導体、InPあるいはGaAsなどでできた光源が、個別にパッケージされたコンポーネントとして実装されるのが一般的である。しかし、これらのオフチップレーザは、高い結合損失、大きな物理的フットプリント、高いパッケージングコストに悩まされている。

パートナーSivers and ASM AMICRAとともにImecは、InPレーザや増幅器の高精度フリップチップ集積機能を組み込むように、SiPhプロトタイピングサービスを拡張しようとしている。最近完了した開発フェーズで、CバンドInP DFBレーザが、500nm(3Σ値)以内の超高アライメント精度で300㎜SiPhウエハにパッシブアライメント、フリップチップボンドされ、再現性のある10mWを超えるオンチップ導波路結合レーザパワーが実現された。2021年下半期を通じて、そのハイブリッド集積ポートフォリオは、反射型半導体増幅器(RSOA)に拡張される。これにはSiversのInP100技術、ASM AMICRA NANOの優れたボンディングアライメント精度を利用する。この能力により、最先端の外部キャビティレーザ光源タイプが可能になる。これは、新しい光インタコネクトやセンシングアプリケーションで必要とされているものであり、2022年早期に利用可能になる。

(詳細は、https://www.imec-int.com/)