II-VI､次世代3Dセンシング向けダブルジャンクションVCSELアレイ

February, 12, 2021, Rochester--II‐VI Incorporatedは､ダブルジャンクションVCSELアレイを発表した｡これは､次世代3Dセンシングアプリケーションに向けた初の多接合VCSELアレイプラットフォームである｡

コンシューマエレクトロニクス､自動車および産業を含む複数の市場における3Dセンシングの採用増が､奥行きセンサ需要を押し上げている｡より長く広い範囲､低消費電力､小型サイズ､低コストのセンサである｡II-VIの新しいVCSELアレイは､ダブルジャンクション技術をベースにしている｡これは､VCSELエミッタ当たりの出力を2倍にし､パワー変換効率を既存のシングルジャンクション技術の46％と比べて56％に改善｡これは､多くの差別的利点に利用される｡より遠く､広い範囲をセンシングする高出力､バッテリ消費低減､小型サイズを含め､コストを下げ､低コスト達成､より目立たないデザインを可能にする｡

｢顧客との数年にわたる強力なパートナーシップ､長期的技術と製品ロードマップ開発で密接に協力し､3Dセンシングでブレイクスルーソリューション､継続的にユーザエクスペリアンス向上を目指した｣とDr. Julie Engはコメントしている｡同氏は､オプトエレクトロニクス& RFデバイス事業ユニットシニアVP｡｢数年前､われわれは､垂直統合GaAsオプトエレクトロニクス技術プラットフォームを3インチから6インチに拡張することに成功した｡これによりわれわれは､開発サイクルを短縮し､積極的な市場向けに新製品を発表することができた｡われわれは､そのプラットフォームをさらに進化させ､今回はダブルジャンクション技術に飛躍した｡これは､世界が直面するアプリケーションでセンシング深度向上､AR/VRアプリケーション向けコンシューマ製品へのシームレスな組込など､既存の新しい利用例を解き放つと考えている｣｡

II-VIのダブルジャンクションVCSELアレイは､940nmで発光､その急峻なスロープ効率は､高いピークパワーの極短パルスを可能にする｡そのVCSELアレイは､シングルジャンクションアレイと同様､低コストの非気密封止パッケージングで設計されており､チップ当たりのエミッタ数を増やすことで総出力を高信頼､コスト効果よくスケールできる｡また､II-VIの垂直統合6インチプラットフォームで量産可能である｡

II-VIの3Dセンシング向けの幅広いポートフォリオには､回折光学素子(DOE)や薄膜フィルタが含まれる｡これらは､大量アプリケーション向けにウエファスケールで生産される｡DOEレンズレットアレイは､VCSELアレイからのビームをコリメート､集束､あるいは変換する｡DOEディフューザは､VCSELアレイの出力を均質化し､均質な照明視野を生み出す｡DOEスプリッタは､入力ビームをマルチ出力ビームに分ける｡フィルタは､画像センサアレイのSNR向上に利用される｡II-VIのVCSELアレイは､チップまたは表面実装パッケージ､DOEs組込で提供される｡
(詳細は､https://ii-vi.com/)