Tower､集積レーザ･オン･シリコンフォトニクスファウンドリプロセス開発

January, 7, 2021, MIGDAL HAEMEK--Tower Semiconductorは､DARPAの部分サポートで､LUMOSプログラムに参加し､半導体ファオン･シリコンフォトニクスプロセスを実現すると発表した｡
　このプロセスは､高性能III-VレーザダイオードとTowerのPH18製造シリコンフォトニクスプラットフォームを統合する｡Multi-project wafer runs (MPW)は､準備ができると､その新しいプロセスと調整される｡PDKの初期バージョンは､2021年に予定されており､レーザと増幅器ブロックが含まれる｡

シリコンにレーザを集積する利点に含まれるのは､レーザ密度増加､レーザとフォトニクスの結合損失低減､必要とされるコンポーネントの減少､著しく簡素化されたパッケージングスキーム｡Towerの豊富な一連のパッシブおよびアクティブシリコンフォトニクス素子､シリコンやSiN導波路､MZM､Ge PDなどと統合すると､その共集積は､量産半導体あるいはフォトニクスファウンドリから､今日では入手できない新しい製品を生み出す｡

その先進的プロセスは､Lasers for Universal Microscale Optical Systems (LUMOS)プログラムの一部となる｡これは､高性能レーザを最先端のフォトニクスプラットフォームにもたらすことを目的にしており､商用および防衛アプリケーションに対処する｡