SiPhベース400Gトランシーバ向け30-40mW CWレーザ

September, 25, 2019, San Jose--NeoPhotonics Corporationは､同社の非気密30-40mW DFBレーザ光源の一般販売を発表した｡同光源は､シリコンフォトニクス用で､CWDM4 FR4あたり100Gbps､1310nm DR1およびDR4トランシーバ向け｡これらのレーザは､完全スポットサイズコンバータ(SSC)付またはなしで提供される｡

ネオフォトニクスの低損失SSC技術は,シリコンフォトニクス導波路へのInPレーザのダイレクトアタッチを可能にし､製造拡張性を促進しコストを削減する｡これら効率的､高出力DFBレーザは,最高75℃で動作し､Telcordia GR-468-COREに準拠しているので､400G QSFP-DDなど非気密シリコンフォトニクスベーススモールフォームファクタプラガブルモジュールでの利用に最適である｡

シリコンフォトニクス(SiPho)は､データセンタ内の約500m(DR)から2km(FR)の中距離光データ伝送に有望な技術として登場してきた｡SiPhoフォトニック集積回路(PIC)は､シングルチップ上に4個の異なる高速変調器を集積しているが､変調される光源が必要である｡シリコン変調器と導波路の損失を克服する十分な光出力を仕様化された波長で生成する別のレーザまたはレーザアレイが､SiPhoチップに結合されなければならない｡ネオフォトニクスの高出力DFBレーザファミリは､SiPho変調器チップに効率的に結合するように設計されており､気密封止パッケージングを必要としないので､次世代トランシーバモジュールに理想的な選択になっている｡

高速SiPho変調器チップは､高”Vpi”であるので､一般に大きな電圧振幅の駆動アンプを必要としているが､これもネオフォトニクスから供給される｡ネオフォトニクスGaAsベースクワッド駆動チップは､単一のコンパクト､低消費電力チップに4個の個別ドライバを統合しており､QSFPやQSFP-DDなどコンパクトなプラガブルモジュールをサポートする設計になっている｡

ネオフォトニクスチェアマン/CEO､Tim Jenksは､｢シリコンフォトニクスは､半導体エレクトロニクスの規模とコスト構造をオプティクスにすることによって､データセンタトランシーバ市場を変革しつつある｡また､当社のレーザ光源とドライバは､シリコンフォトニクスの可能性解放に役立つ｣とコメントしている｡
(詳細は､https://www.neophotonics.com/)