3次元量子ドット構造の形成実現によるInGaAsナノ円盤構造

September, 3, 2019, 東京--東京大学､東北大学､北見工業大学の研究グループは、バイオテンプレート技術と融合して低欠陥のナノサイズの低濃度のインジウムガリウム砒素/ガリウム砒素(InGaAs/GaAs)円盤構造（量子ドット）を有する柱状構造（ナノピラー構造）を作製することに成功した。
　さらに、有機金属気相成長法を用いて、ナノサイズのInGaAs/GaAs円盤構造を有するナノピラーをガリウム砒素での埋め込み再成長に成功し、ドライエッチングで作製した世界最小のInGaAsナノ円盤構造の作製に成功した。フォトルミネッセンスの温度依存性測定により、ドライエッチングで作製したInGaAsナノ円盤構造からの波長幅の広い発光を実現した。
　ガリウム砒素などの化合物半導体はシリコンに比べて光の発光効率や吸光効率が極めて高く、特に化合物半導体量子ドットは、ナノスケールの構造から生じる量子効果によって、より単色化され高強度な光を低消費電力で温度の影響少なく発光するため、単一光子光源などに応用が期待されている。有機金属気相成長法または分子線エピタキシー法で作成される従来の量子ドットは高いインジウム濃度（50%以上）でのみ量子ドットが形成できる。また、従来のドライエッチングでは、微細化に限界があるばかりではなく、脆弱な化合物半導体では激しく欠陥が生成されるため、発光効率が大きく劣化してしまうという問題点があった。
　研究グループは、鉄などの金属微粒子を内包したたんぱく質が、特殊な処理をした表面に自発的に規則正しく配列した構造を作る性質を用いて、金属微粒子を化合物基板の上に高密度に間隔20nm程度で配置した。その後、たんぱく質だけを除去して金属微粒子を加工マスクとして中性粒子ビームによる低損傷エッチングと有機金属気相成長を行うことにより、ナノメートルオーダの欠陥の少ないInGaAs/GaAsナノ円盤構造が20 nm間隔で配列した構造を実現した。
　この研究により作製された低欠陥のInGaAs/GaAsナノ円盤構造は、近年、注目をあげている低消費電力マイクロLED(micro-LED)や半導体レーザへの展開が期待できる。
　研究成果は、ACS Applied Electronic Materialsに掲載された。

(詳細は､http://www.tohoku.ac.jp)

研究グループ
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター（VDEC）の肥後昭男特任講師、北見工業大学の木場隆之助教、北海道大学大学院情報科学研究院の村山明宏教授、東北大学材料科学高等研究所（AIMR）および流体科学研究所(IFS)の寒川誠二教授、東京大学先端科学技術研究センターの杉山正和教授、東京大学大学院工学系研究科の中野義昭教授｡