窒化ガリウムマイクロLEDの発光効率を低電流密度で５倍に高効率化

July, 8, 2019, つくば--産業技術総合研究所（産総研）窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリGaN光デバイスチーム 王学論ラボチーム長、電子光技術研究部門朱俊元客員研究員、ナノエレクトロニクス研究部門遠藤和彦研究グループ長らと、東北大学（東北大）流体科学研究所 未到エネルギー研究センター長、材料科学高等研究所 主任研究者 寒川誠二教授 兼産総研 ナノエレクトロニクス研究部門 特定フェローは、微小なGaN（窒化ガリウム）LED（マイクロLED）の高効率化技術を開発した。
　マイクロLEDを高密度に配置したマイクロLEDディスプレーは次世代のウエアラブル情報端末のための高効率・高輝度・高解像度のディスプレーとして期待されているが、従来の作製法ではLED側面の加工損傷が大きいため、サイズが小さくなると発光効率が著しく低下することが大きな問題になっていた。今回、加工に伴う損傷が極めて少ないことが知られる中性粒子ビームエッチング技術をGaNマイクロLEDの作製に用いることで、LEDのサイズを6µmまで小さくしても発光効率の低下がほとんどないGaNマイクロLEDを開発した。
　この技術の詳細は、2019年7月7日～7月12日に米国ワシントン州ベルビュー市で開催される国際会議「International Conference on Nitride Semiconductors」で発表される。
(詳細は､https://www.aist.go.jp/)