Picosun-SINANO､TiNプロセス向上で提携

November, 2, 2018, Espoo--ALD (Atomic Layer Deposition)薄膜コーティングソリューションの世界的供給企業､Picosun groupと蘇州ナノテク/ナノバイオニクス研究所(SINANO)は、PiconsunのプラズマALD技術で成長させた高品質の窒化チタン(TiN)を報告している｡
　マイクロエレクトロニクスコンポーネント製造では､コンポーネントの機能と寿命に関して､金属と半導体材料層との抵抗接点が重要である｡一般に､チタンなどの純金属が､金属材料として用いられてきたが､それらは一定の欠点がある｡そのため､TiNが代替として用いられている｡TiNは同じように金属であり､その伝導性と熱安定性は､純粋チタン金属と比べて優れているが､高品質TiN膜を得るには､製法と条件が重要になる｡
　ここが､PicosunのリモートプラズマALD(RPEALD)技術がその力を発揮するところである｡Picosunのアプローチでは､プラズマ源が、基板から十分に離れた位置にある｡アグレッシブにイオンを打ち込むではなしに、基板への熱応力、物理的イオン損傷をなくし、短絡のリスクなしで導電体材料の堆積を可能にし、プラズマ源へのガス逆分散をなくすためである。先駆体化学物質とプラズマガスの適切な選択は、極めて低い酸素含有量と仕事関数､低いシート抵抗､正確なストイキオメトリ､高均一性の高純度TiN膜を確実にする｡さらに､プロセスパラメータと温度に関してプロセスウインドウは、広く､プロセスは､大きな､様々な基板材料に導入可能である｡
　｢TiNは､特にGaN､小さな200㎜径まどのシリコンウエファで製造されるコンポーネントでは､アプリケーションの中心的材料である｡Picosunは､200㎜までのウエファ市場向けに､コスト効率の優れた､ターンキー製造ソリューション提供に特化している｣とPicosun Asia PteのCEO､Edwin Wu氏は語っている｡
　SINANOとPicosunは､2017年初めから提携している｡提携の目標は､ALDを使い､HEMTsやレーザダイオード､リチウムイオンバッテリなどの先進的なマイクロ､オプトエレクトロニクスコンポーネントの開発である｡
(詳細は､www.picosun.com)