アルファベットパターンを光記憶結晶にナノメートルスケールで描画

October, 18, 2018, 東京--山梨大学大学院総合研究部 中込亮、内山和治助教、堀裕和教授、龍谷大学理工学部物質化学科 内田欣吾教授、及びNICTネットワークシステム研究所 成瀬誠総括研究員らの共同研究グループは、ナノメートルサイズの針先の近接場光により、光記憶性能を持つフォトクロミック単結晶の表面に光の波長以下の大きさのパターン（アルファベット）を描き、さらに消去することに初めて成功した。
　この成果は、波長より小さなスケールにおいて、意思決定などの知的機能に必要な動的記憶構造を実証したものである。
研究成果は、Scientific Reportsにオンライン掲載された。

研究のポイント
･フォトクロミック単結晶表面に近接場光でナノメートルスケールのパターンを描くことに成功
･光で大きく構造を変える新規材料とナノメートルサイズの光（近接場光）を組み合わせることで実現
･光の波長以下で動作するナノ光メモリとしての記録、消去の基本性能を確認
･光反応と分子変形の釣り合いを活用して現実問題を解くナノサイズ光AIの実現につながる成果

(詳細は､www.nict.go.jp)