Kyma､高品質200-㎜径GaN on QSTテンプレートをデモ

November, 9, 2017, San Dimas--Kyma Technologeis, Incは､新しいK200ハイドライド気相成長(HVPE)装置を使って高品質200-㎜径HVPE GaN on QST(QROMIS基板技術)テンプレートを作製したと発表した｡
　今回発表のKyma 200-㎜径HVPE GaN on QSTテンプレートの開発は､2016年にQROMIS, Inc(前Quora Technology, Inc)と提携して実証した150-㎜径GaN on QSTテンプレート､またKymaのK200 HVPE成長装置の発表に続くものである｡
　200-㎜径HVPE GaN on QSTテンプレートは､QROMIS提供の5µm MOCVD GaN on QSTウエハに成長させた10µmのHVPE GaNで構成されている｡テンプレートのX線回折ロッキングカーブ線幅は､対称(002)と非対称(102)XRDピークそれぞれ､250および330arc/secにあり､これは高い構造品質で一貫している｡低いウエハの反り(～50µm)と滑面形状は､これらの材料が高性能デバイス製造をサポートすることを示唆している｡
　Kymaの新K200 HVPEツールは業界初であり､多くの異なる基板上に高品質GaNの均一かつ迅速成長ができるようにKymaのエンジニアが設計した｡
　社長/CEO､Keith Evansは｢高品質GaNプロセスをわれわれのK200 HVPEツールに移転することに成功した｡QROMISのQST基板に作製したGaNの構造的品質は卓越している｡当社は現在､大直径GaN on QSTテンプレートに関心がある顧客に接触している｣と話している｡
　KymaとQromisは､Kyma主導US DOE IIB SBIRでの仕事で提携している｡
　QROMISは､先頃､ファンドリパートナーVanguard International Semiconductor(VIS)を使って200-㎜ QST基板およびGaN-on-QSTウエハの製造を始めた｡VISは､8インチ径QSTプラットフォームで､2018年にGaNパワーデバイス製造サービス提供を計画している｡
　QROMIS共同創始者&CEO､Cem Basceriは､｢QROMISのCMOSファブ･フレンドリ200-㎜径QST基板およびGaN-on-QSTウエハはディスラプティブ技術である｡GaNパワーアプリケーション向けに数マイクロンから数100マイクロンのGaNエピタキシーが可能になる｡これは100V～1500V以上のGaNパワーデバイスで､横方向､疑似垂直､垂直形状が8インチまたは12インチ製造プラットフォームが､Siパワーデバイスのコストで可能である｡KymaのK200 HVPE技術は､QSTベースGaNパワーデバイス製造への重要な付加価値であり､これはMOCVD成長のみを使用して実用的に達成できるよりも薄く､低欠陥密度のGaN面の低コスト成長を可能にすることによるものである｣とコメントしている｡
　Kymaは､世界的に認められた半導体装置OEMとも提携し､Kymaの優れたHVPE GaN成長プロセスをインハウスで行いたい顧客向けにK200 HVPEツールを製造する｡
(詳細は､www.kymatech.com)