Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

November 1, 2013--Yole Développementは、「独立＆バルクGaN基板」レポートを発表した。
LEDアプリケーションは、確立したレーザダイオード(LD)や新興のパワーエレクトロニクスセグメントを乗り越えて、バルク窒化ガリウム(GaN)市場の推進力になる、とYoleは見ている。ただし、4インチGaNの価格が損益分岐価格以下になったときに大きな変化が起こる、と同社は指摘している。
LED技術が従来のランプや蛍光管に対して市場シェアを獲得していくことは疑いない。LEDメーカー(現在の製品＞150lm/W)が最近発表したロードマップは、パフォーマンスロードマップが予測と一致していることを示している。LEDは、従来の電球や蛍光管レベルか、それ以上のパフォーマンスとなっている。
ネイティブバルクGaNがサファイアやシリコンの代替として登場してきており、LEDのパフォーマンスはさらに改善される。UHB-LEDは潜在的にパフォーマンス優位性はあるものの、GaNウェハの大量普及は仮定にとどまる。バルクGaN基板の歴史的な価格下落を考慮すると、基本的なシナリオは、GaN-on-GaN LEDはニッチ市場に限られることになろう。GaN業界がLEDメーカーからのコスト圧力に応えることに成功して4インチGaNウェハが損益分岐価格以下に下がるなら、普及は一段と進むと予測できる。LED製造の市場ボリュームという点から言うと、2つのシナリオの間には3倍の開きがあるとYoleは見ている。
(詳細は、 www.yole.fr)