Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

September 6, 2013, Leuven/Plainview--imecとビーコ(Veeco Instruments Inc)は、GaN-on-SiベースのパワーデバイスやLEDの製造コストを下げるプロジェクトで協力する。
imecの主任研究員、Barun Dutta氏は、「VeecoのMOCVD装置の生産性、再現性、均一性、結晶品質のお陰で、われわれはGaN-on-Siで画期的な開発成果をあげられた。そのエピで可能になったデバイスのパフォーマンスにより、われわれは最先端のDモード(空乏モード)、Eモード(強化モード)のパワーデバイスを実現できた。われわれの目標は、GaN-on-Siを競争力のある技術にする完全な製造基盤を確立することにある」とコメントしている。
imecのマルチパートナーGaN-on-Si 研究開発プログラムは業界を結集して、200mm CMOS適合インフラを用いて200mmシリコン基板上に世界最高クラスのGaN LEDとパワーデバイスを共同開発することを目標にしている。imecで力を結集することで企業はコスト、人材、IPを共有して先進的な技術を開発し、それを逸早く市場に出すことができる。