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Plesseyがケンブリッジ大学のスピンオフ、CamGaNを買収
February 14, 2012, Plymouth--プレシー(Plessey)がケンブリッジ大学のスピンオフ、大口径シリコン基板にGaN HB-LEDを成長する新技術を商用化する目的で設立されたCamGaN Limitedを買収した。
この買収によりPlesseyは、同社の6インチプロセス工場で、CamGaN独自の6インチGaN-on-Si技術をベースにしてHB-LEDを生産することができる。また、Plesseyは6インチシリコン基板でHB-LEDを商用製造する初めての企業となる。
買収したHB-LEDソリューションにより、標準的なシリコン基板上に薄型のHB-LED構造を成長することが可能になる。現在の技術は、シリコンカーバイド(SiC)もしくはサファイア基板を用いており、これらは高コストであり、スケールアップも難しい。PlesseyのGaN-on-Siソリューションは、SiCやサファイア基板を使用する場合と比較すると80％程度のコスト削減となる。コスト削減は、スクラップ率の低減、バッチタイムの最小化、自動半導体プロセス装置の利用による。これらのコスト削減が可能になるとともに、今年後半には150lm/Wを上回る製品の製造が可能になる。Plesseyは、HB-LED業界で最もコスト効率のよいソリューションの提供ができるようになる。
同社マネージングディレクタ、Michael LeGoff氏は、「HB-LED照明は、家庭、建築、医療、自動車照明の未来を代表するものだ。高効率で高輝度という目標を達成することは、エネルギー消費の少ない固体正目の普及促進の決め手になる。この新しい英国の技術はコスト的にもパフォーマンス的にも利点があり、白熱電球や蛍光灯をHB-LEDランプで置き換える流れが一変する」とコメントしている。
また、Plesseyの主席エンジニア、Dr John Ellisは、「今日まで、大型のシリコン基板上にHB-LEDを成長させる技術の商用化で最大のハードルは、GaNとシリコンとの間の格子不整合が大きかったことだ。Plesseyの新しいGaN-on-Siプロセスはこの課題を克服した。当社の技術と、自動6インチプロセス装置利用によるコスト削減と組み合わせることで、PlesseyのHB-LED照明製品は業界の最先端に踊りできることができる」と話している。
PlesseyのブルーLEDの最初のサンプルは460nmでピーク出力が得られる。この技術は、シアン、グリーなど他の波長にも拡張する。スペクトラムのブルーエンドでこのような高輝度が得られるので、燐を使って白色を出すことができる。150lm/W白色は、2012年Q4にリリース予定となっている。
