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半極性GaNウエハ上にLED成長
December 20, 2010, Carlsbad--オステンド・テクノロジーズ（Ostendo Technologies）とテクノロジーズ・アンド・デバイセズ・インターナショナル社（Technologies and Devices International：TDI）は、半極性（11-22）GaNウエハ上に成長したLED構造が、CプレーンベースのLED構造の出力強度の2.5倍以上の出力を実現したと発表した。TDIはオックスフォード・インスツルメンツグループの1業。
オステンド社とTDIは、2008年、パロアルト研究所 （PARC）と情報交換契約を結んだ。それにしたがって半極性GaNウエハを提供し、PARCがその上にLEDやLD構造を成長し、独自に評価してその結果を報告する。その評価作業の一環としてPARCは、半極性GaNと参照用のCプレーンLED構造を同じMOCVD装置に並べて成長した。その主要な結果の一部は以下の通り。
・半極性GaN上に成長したLED構造は、CプレーンGaNに成長した参照LED構造と比べて出力強度が2.5以上だった。
・半極性GaNはインジウム濃度を高めることができるので、ピーク波長を～25nm長くできる。
6月、オステンド社とTDIは、オステンド社独自のデザインとTDI独自のHVPE技術を利用したサファイア基板半極性GaNウエハの提供を始めた。この共同開発により、HB-LEDやレーザダイオード開発者は、CプレーンGaN基板と比べて光効率を大幅に向上することができると両社は主張している。
