NS Nanotech、ナノスケールLED/レーザでNSERCから100万ドルの助成金を獲得

November, 24, 2023, MONTRÉAL--NS Nanotech Canadaは、ナノスケール発光ダイオード(LED)とレーザの開発に関する研究に対して、カナダ自然科学・工学研究評議会(NSERC)から2年間のアライアンス助成金授与を発表した。
NSERCとNS Nanotechは、合計100万カナダドルの資金提供と現物出資を約束した。同社は、McGill UniversityのSongrui Zhao教授と共同で助成金を申請した。

NS Nanotechの科学者は、マギル大学(McGill University)電気・コンピュータ工学科のZhao教授の研究室の研究者と協力して、新世代のナノスケール窒化ガリウム(GaN)LEDsを製造している。世界有数のナノLED研究者の一人であるZhaoは、多数の特許を保有し、分子線エピタキシーやその他の基盤技術の最先端技術を推進し、現在のLEDに比べてコストと効率を桁違いに向上させるように設計されている。

NS NanotechのCEO/共同創業者Seth Coe-Sullivanは「ナノテクノロジー、LED、レーザの急速に変化する世界でZhao教授とマギル大学が開始した画期的な研究に対するカナダ政府からの多大な支援に感謝している。われわれは共に、1,200億ドル規模の世界のディスプレイ市場を破壊する可能性をもつ、世界初の効率的なサブミクロンスケールのナノLEDsを開発する使命をになっている」とコメントしている。

NS Nanotech Canadaが最近設立したR&D Centreは、ミシガン大学とマギル大学が所有する画期的な特許のポートフォリオの独占的ライセンスを活用して、世界初の効率的なサブミクロンスケールのnanoLEDsとナノレーザを開発している。ラボ技術の実用化により、TVs、携帯電話、スマートウォッチ、拡張現実(AR)グラスなどの次世代ディスプレイ、UV光による消毒などのアプリケーションが可能になる。

2023年夏、合同チームは半導体ウエファ上にナノワイヤを作製することに成功し、標準的な商業製造プロセスでナノスケールLEDを成長させる可能性を実証した。深紫外線(DUV)リソグラフィープロセスを利用して、光学的にパターン化された基板上に均一なGaNナノワイヤを成長させたのはこれが初めてだった。

「NS NanotechのR&Dセンタとの共同研究は、半導体材料上にナノ構造を成長させることでLEDsを作製する全く新しい方法を開発するわれわれのラボの研究を加速させている。NSERCアライアンス助成金は、われわれの統合チームが今後2年間で実現することを期待しているさらなるブレークスルーを達成に役立つ」とZhaoは話している。
(詳細は、https://www.nsnanotech.com/)