大陽日酸と理研､AlGaN系DUV LED 226nm EL発光

April, 11, 2022, 東京--大陽日酸株式会社は、理化学研究所の平山秀樹らとともに、同社製MOCVD 装置を用いて、短波長 226nm で AlGaN（窒化アルミニウムガリウム）系深紫外 LED が EL発光することを実証した。

AlGaN 系深紫外 LED は波長 220～350nm の半導体深紫外光源で、殺菌・消毒、医療分野など幅広い分野での応用が期待されている。同社製 MOCVD 装置では、有機金属原料の供給量を微細に調節することで、Al 組成を変化させ、任意の発光波長を制御出来まる。
　大陽日酸は、エピタキシャル成長（半導体の単結晶の基板上に新しく単結晶の薄膜を成長させること）及びデバイスプロセス技術向上による高効率化を目的として、理化学研究所の平山秀樹らとの共同研究を実施してきた。これまで発光波長 280nm 帯においては、同社製 MOCVD 装置(SR4000HT)で 4 インチ径 1 枚構成でのエピタキシャル成長を実現していたが、今回、同装置で 2 インチ径 3 枚構成でのエピタキシャル成長において、短波長 226nm の EL 発光することを実証した。
　上記技術確立により、人体への影響がほとんどないとされる波長帯(220～230nm)で発光する AlGaN 系深紫外 LED のエピタキシャル成長が可能となり、人への直接照射による殺菌・消毒、医療分野などへの応用が期待される。
(詳細は､http://www.tn-sanso.co.jp/)