昭和電工、高出力用途向け赤外LED製品を拡充

August, 25, 2017, 東京--昭和電工は、パワー半導体モジュールのゲートドライバ用フォトカプラーやIoT関連各種センサ用に用いられる赤外LEDチップ（赤外LED）の製品ラインナップを拡充した。 同社の赤外LEDは、LPE法の標準型LED、MOCVD法の透過型および反射型LEDの3種類で展開している。低電流域での出力の立ち上りや高速応答性に優れていること等から、高信頼性が要求される産業機器・車載・医療・セキュリティ用途などで広く用いられている。
　反射型LEDは、発光層の下にミラー層を形成し、光を真上方向に反射させることで発光出力を高めたLEDチップ。従来より産業機器用光電センサなどに採用されていたが、今回、この技術を発展させ、「ダブルジャンクション反射型LED」「P-アップ反射型LED」の2製品を追加した。

①ダブルジャンクション反射型LED
発光層を2層にしたチップで、従来の反射型LEDチップの2倍近い出力を実現した。生体認証や監視カメラ、バーチャルリアリティ、車載センサなど高出力が求められる用途に適している。

②P-アップ反射型LED
反射型LEDで主流のN-アップ構造と極性を逆にした製品。赤外LEDで広く用いられているLPE法ではP-アップ型が主流であり、同じ回路設計で高出力モジュールを開発したいというユーザニーズに応えた。こうしたチップ構造の選択肢が増えることで、パッケージやモジュールにおける回路設計の自由度が高まる。
(詳細は、www.sdk.co.jp)