OnChip、半導体ウエハ裏面メタライズを提供

June, 20, 2016, Santa Clara--オンチップ(OnChip)の先端ウエハ製造工場は、薄膜の裏面メタライズ(BSM)を提供している。アプリケーションは、軍、医療、計測器など様々。
　バックメタルは、はんだ付けできるダイアタッチ金属スタック形成のために幅広い半導体デバイスで必要になる。金属スタックは、チップへの電気接触(オーミックコンタクト)、マウントケースに適切なチップボンディングを確実にすることが目的。高輝度LED(HB-LED)などのパワーデバイスは、熱伝導性改善と信頼度向上のためにバックサイドメタルを必要とする。このような金属層は、RFあるいはDCスパッタリングや電子ビーム蒸着を用いて堆積する。
　ディスクリートデバイスでの裏面メタライズでは、典型的なレイヤースタックは3～4の金属層で構成される。最も一般的な金属スタックは、スパッタ堆積されたチタン(500Å)、それにニッケル(3000Å)、最後に金(200Å)からなる。OnChipが提供する金属は以下の通りである。

・優れたオーミックコンタクトを提供する層: 金、アルミニウム、チタン
・障壁と優れた接着層: 銅、クロム、パラジウムおよびチタン
・はんだ層: ニッケル、金、銀

OnChipのシステムは、クラス100クリーンルームで超清浄金属と誘電体膜を堆積する。一般に、インサイチュRFエッチングは、それに続く多層堆積の前に行われる。目的は、下の導電層あるいはベアシリコンへの優れた膜密着性とオーミックコンタクトを確実にすること。全てのスパッタ膜は下剤、150㎜径までのシリコンウエハサイズで利用可能になっている。それよりも大きなウエハサイズは、ケースバイケースで考慮可能。
(詳細は、www.onchip.com)