LED/パワーエレクトロニクス向けGaN-on-Si基板技術と市場レポート

March, 28, 2014, Lyon--フランスの調査会社Yole Développement社は、LEDとパワーエレクトロニクス向けGaN-on-Si基板技術と市場レポートを発表した。
現在、LED製造では、GaN on sapphireが主流技術となっている。GaN-on-Si技術は、コスト削減のためにサファイア代替として登場してきた。同社のコストシミュレーションでは、シリコン基板コストの差は、GaN-on-Siへの移行を十分に正当化するものではない。主要な推進力となるのは、既存の、減価償却の終わったCMOSファブで、6インチもしくは8インチで製造する能力である。
「LEDの潜在的なコストメリットにもかかわらず、GaN-on-Si技術のLEDアプリケーションへの大量採用は不透明のままだ。LED-on-Siに関する考えは、LED業界では、無条件の熱狂から不当な懐疑まで広く変動している。実際、全ての主要なLEDメーカーはGaN-on-Si LEDのリサーチを進めているが、それを中核戦略や技術ロードマップにしているところはほとんどない。支持者の中で、Lattice Power、Plessey、Toshibaだけが製造に移行し、商用LED-on-Siを提供している」とDr. Hong Linは説明している。
同社のアナリストは、「大きな改善は達成されたが、依然として技術課題(パフォーマンス、歩留まり、CMOS適合性)がある」と見ている。この技術的障害がなくなればGaN-on-Si LEDを採用するメーカーが出てくるが、業界標準にはならないだろうと同社は捉えている。同社の予測では、シリコンがLED製造でとれるシェアは2020年で5％以下にとどまる。
(詳細は、 www.yole.fr)