GaNウェーハ生産に最適なKABRAプロセスを開発

July, 18, 2023, 東京--半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコは、レーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」を用いた、GaN（窒化ガリウム）ウェーハ生産に最適化したプロセスを開発した。
当プロセスにより、GaNウェーハ生産時における取り枚数増及び加工時間の短縮を同時に実現する。

高い量産性
低材料損失
・レーザ焦点の位置をリアルタイム制御することで、厚みばらつきのないスライスが可能
・ワイヤソーと異なり切断後のうねりがないため、ラップ工程が不要

高スループット
・GaNに最適な特殊光学系及び加工方法を開発
・短いステージ走査距離による効率的なKABRA層※1の形成を実現

高歩留まり
・インゴットエッジ付近にも均一なKABRA層を形成することで、材料内部に発生する窒素を効率的に排出、ウェーハ割れを抑制

GaNウェーハ量産向け KABRAプロセス・フロー
1．インゴット内部にレーザ照射しKABRA層を形成
2．剥離、ウェーハ化
3．ウェーハを指定厚仕上げ研削
4．次のレーザ照射のためにインゴット上面を研削

(詳細は、https://www.disco.co.jp/jp/news/corp/kabra_gan.html)