KLA-Tencor、5Dパターン形成制御関連装置を発表

September, 9, 2014, Milpitas--KLA-Tencor Corporationは、WaferSight PWGパターン付きウエハ平坦度測定装置、LMS IPRO6レチクルレジストレーション計測装置、およびK-T Analyzer 9.0最先端データ解析装置を発表した。
　これらの3つの新製品では、KLA-Tencor独自の5Dパターン形成制御ソリューションをサポートしている。このソリューションは、パターン形成プロセス制御の5つの要素であるデバイス構造の3Dパターン寸法、TIME-TO-RESULT、およびOEE（Overall-Equipment-Effeciency）に対応している。5Dパターン形成制御ソリューションは、リソグラフィモジュールの内外のプロセスの特性評価、最適化、およびモニタリングを通じて最適なパターン形成を推進するように開発されている。このソリューションは、これらの測定値をインテリジェントなフィードバックおよびフィードフォワードプロセス制御ループと結合することによって、半導体メーカが既存のプロセス装置を使用して、多重露光パターニング、スペーサピッチプロセス、その他の高度なパターン形成技術を迅速かつコスト効率よく導入できるように支援する。
　WaferSight PWGは最先端デバイスの開発および量産のために複数のICメーカに導入され、さまざまなプロセスのパターン付きウエハの平坦度測定により、パターン形成に影響を与えるプロセス変動の特定及びモニタリングを行う。重力による歪みを最小限に抑える業界独自の垂直ウエハ保持システムを搭載し、ウエハ1枚あたり350万個の高密度データサンプリングを実現することにより、WaferSight PWGは極めて正確なウエハ形状・平坦度の測定が可能。また、このデータをリソグラフィモジュールにフィードフォワードし、ウエハ形状に最適化されたスキャナ補正を行うことにより、パターンオーバレイを改善する。さらに、WaferSight PWGはウエハの表面と裏面を同時に測定することにより、ウエハ厚ベースの凹凸を管理し、ウエハ起因のスキャナフォーカス誤差を低減することも可能とする。
　LMS IPRO6は、ウエハレベルのパターンオーバレイ誤差の直接原因である、レチクルレジストレーション誤差の包括的な特性評価のために最先端のマスクショップで使用されている。独自のモデルベース計測技術により、LMS IPRO6は従来の標準レチクルレジストレーション計測マークに加え、実デバイスパターンのレチクルレジストレーションを正確に測定できる。これにより、サンプリングレートが大幅に高くなり、マスク品質の判定を改善できる。これまでの製品に比べて高スループットを実現したLMS IPRO6では、多重露光パターニングに伴い枚数が増加しているレチクルの品質保証において、高い生産性を維持することができる。LMS IPRO6では、パターン種ごとの位置計測データを生成することができる。このデータにより、電子ビームマスク描画機へのフィードバック改善や、特定のパターン種に最適化されたスキャナ補正パラメータをリソグラフィモジュールにフィードフォワードすることで、ウエハ上のパターンニングを改善する。
　ファウンダリやメモリメーカで導入されているK-T Analyzer 9.0は、オーバレイ、レチクルレジストレーション、ウエハ形状、膜厚、CD、デバイスプロファイルなどの様々な計測装置のタイプに合わせた高度なランタイムデータ解析が可能な最新の業界標準プラットフォーム。K-T Analyzer 9.0には、製品ロット毎に適用する露光フィールド毎補正（CPE:Correction Per Exposure）をウエハ全面測定を必要とせずに高精度に計算するインライン手法が組み込まれている。それにより量産に適した制御手法でパターンオーバレイ誤差を低減することができる。さらにK-T Analyzer 9.0には、新しいスキャナツール群管理、スキャナデータ解析、スキャナアライメント最適化機能が備わっている。これにより、スキャナの稼働効率を向上し、リソグラフィプロセスを監視および最適化するための柔軟性の高いソリューションを半導体メーカに提供する。