6インチGaAsプラットフォームでハイパワー半導体レーザ全製品提供

October, 26, 2020, Durham--II‐VI Incorporatedは､ハイパワー半導体レーザの全製品ラインが6インチGaAsプラットフォームで提供できると発表した｡

レーザシステム市場における競争激化と期待される需要増は､Industry 4.0､医療診断や手術､航空宇宙と防衛を含め､規模の経済を促進しながら高信頼に量産できる半導体レーザダイオードサプライヤに好都合である｡II-VIは､ハイパワー端面発光ダイオードを6インチGaAsプラットフォームで量産し､伸び続けるファイバレーザ励起チップ需要に対応している｡II-VIは､数10年におよぶ高信頼ハイパワーGaAs端面発光励起レーザの製造技術を利用し､3Dセンシングや高速データコムアプリケーション向け6インチGaAsオプトエレクトロニクスプラットフォーム導入における同社の勢いに立脚して､この成果を達成した｡

｢オプトエレクトロニクス向けでは､6インチGaAs技術プラットフォームは､世界に僅少であるが､II-VIは米国の2箇所とスイス1箇所の3箇所を含め､すでに世界の数箇所で稼働している｣と同社レーザデバイスとシステム事業ユニット､SVP､Dr. Karlheinz Guldenはコメントしている｡｢われわれの知る限りでは､そのようなスケーラブルなプラットフォームで高信頼高出力励起レーザダイオードとバーを製造するのは世界で当社が初めてである｡この画期的な成果を達成することでII-VIは､社内垂直統合技術プラットフォーム開発の長期戦略的優位性を再度証明している｡これは､多数のアプリケーションで長年､投資を活用する力量を示している｣｡

II-VIのハイパワー半導体励起レーザは､ベアダイとマウントチップで提供される｡II-VIのレーザシステム向け幅広いコンポーネントプラットフォームは､シードレーザ､音響光学変調器､FBGs､キロワットポンプや信号コンバイナ､イオンビームスパッタリング(IBS)コートレーザオプティクス､ハイパワーアイソレータ用マイクロオプティクスを含む｡

オプトエレクトロニクス向け6インチGaAs技術プラットフォームに加えて､II-VIは､6インチGaAsおよびGaN-on-SiC技術プラットフォームをRFエレクトロニクス向けに確立している｡
(詳細は､https://www.ii-vi.com)