オン・セミコンダクター 、CCDイメージセンサの近赤外線性能を向上

July, 15, 2016, Washington--オン・セミコンダクター（ON Semiconductor）の日本法人オン・セミコンダクターは、CCDイメージセンサの近赤外線の感度向上技術により、要求の厳しい産業用アプリケーションにおけるイメージング性能を向上した。
　8メガピクセル(MP)の新製品KAI-08052イメージセンサは、オン・セミコンダクターのCCDポートフォリオにおいて、この新技術を初めて適用したデバイスであり、近赤外線（NIR）波長において、同社標準のインターライン・トランスファ型CCDピクセル設計の最大2倍の感度を実現する。この感度向上は、科学・医療画像などの、標本がNIR波長で放射したり蛍光を発するアプリケーション、あるいはマシンビジョンや高度道路交通システム(ITS)など物体を詳細に検査したり車のナンバープレートを識別するためにNIR照明が頻繁に使用されるアプリケーションにおいて不可欠。
　KAI-08052で使用されている新しいCCDピクセル設計は、シリコンの電子捕獲域を深く広げることにより、長波長フォトンが生成する電子の捕捉性を向上させる。より深いピクセルウェルは、特定の波長によって最大2倍、NIR波長の検知を向上させる。また、ウェル構造は、互いのフォトダイオードを隔離するため、イメージの鮮明さ（変調伝達関数またはMTF）を損なうことなくNIR感度が上昇する。
　KAI-08052は、モノクロ、ベイヤーカラー、およびスパースカラー構成でRoHS対応のCPGA-67パッケージで提供され、既存のKAI-08051イメージセンサ、5.5 µmおよび7.4 µm CCDイメージセンサ・ファミリーと完全なピン互換性があるため、カメラメーカーは、新しいデバイスを素早く採用できる。