ALLOSとEnnostar Forgeが戦略的パートナーシップ、MicroLED向けの200mmサプライチェーン立ち上げ

January, 28, 2026, Dresden--ドイツのALLOS Semiconductorsと台湾のEnnostar Corporationは、micro-LEDアプリケーション向け200mm GaN-on-Si LEDエピウエハを量産に投入する戦略的パートナーシップを発表した。この協力は、microLED製品のシリコンファブ互換サプライチェーン構築における重要な節目となる。

このパートナーシップにより、ALLOSは業界をリードするGaN-on-Siエピウエハを顧客の需要に応じた量で提供でき、microLEDの大量生産への移行を支援する。EnnostarはALLOSの200mm GaN-on-Si LEDエピウエハ製造パートナーの役割を引き継ぐ。世界最大級のLED製造インフラと、microLEDを含むハイエンドLED技術の深い専門知識を持つEnnostarは、このパートナーシップにおいて独自の立場にある。製造に加え、Ennostarは先進的なLED関連技術も提供し、製品性能をさらに向上させる。

「Ennostarでは、顧客に高品質かつ拡張可能なエピウエハを供給するために、可能な限り最良のパートナーと協力している。われわれは共に、microLEDチップ製造において、業界最高のLED効率と優れたオンウエハおよびウエハ間歩留まりの組み合わせを提供できる」とALLOSの共同創設者兼CEO、Burkhard Slischkaは語った。

「このパートナーシップは競争力のあるGaN-on-Si micro LEDソリューションを提供し、標準的なシリコンファウンドリープロセスと互換性のあるスケーラブルな生産経路を提供する」とEnnostar Corporation社長、Dr. Terry Tangは話している。「ALLOSと提携することで、既存の市場をリードするmicroLEDソリューションと並行して、200mmのGaN-on-Si LEDエピウエハセグメントに取り組み、急速に進化するmicroLED業界に独自の包括的な価値提案を提供できるようになった。」

ALLOSのエピウエハ製品は、均一性、微細欠陥の除去、最適化された駆動電流など、microLEDアプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計されている。標準的なシリコンファブとの互換性を想定して設計されており、エピウエハは厚さ725µmで提供され、シリコン業界の清浄度および汚染基準に準拠している。

ALLOS独自のバッファ層とn-GaN層を、Ennostarの最先端LED層技術と組み合わせることで、GaN-on-Si LEDエピウエハは従来のGaN-on-Sapphireソリューションと同等の明るさとエネルギー効率を実現している。

Burkhard Slischkaは同社のビジネス戦略を説明し、「標準的なシリコンファブをmicroLED製造に用いることで、microLEDの大量生産を経済的に実現可能にするために必要な収率とコスト効率が解放されるという顧客のビジョンを共有している」と語り、「Ennostarとのパートナーシップを通じて、microLED製品の需要増加に対応するエピウエハ生産を迅速に拡大できるようになった」と付け加えている。

この提携により、300mmのGaN-on-Si LEDエピウエハの開発も可能となり、300mmロジックウエハと効率的に統合することができる。この統合は、例えば、MicroLED光源を用いたAIプロセッサとメモリチップ間の超高速かつエネルギー効率の高い光インタコネクトを実現するために不可欠である。ALLOSは2020年からすでに300mmの生産能両区を実証しており、主要顧客と共に技術の改良を続けている。