ラティスパワー、シリコンLED普及に向けて8000万ドル調達

July, 7, 2014, Hong Kong--ラティスパワー(LatticePower Coroperation)は、アジアパシフィック資源開発投資から8000万ドルの資金を調達した。また、スマートフォンおよび機器用LEDモバイルフラッシュの新規発売を通じて同社の画期的なGaN-on-Si技術の大きなブレイクスルーも発表した。
　新規調達資金は、同社のR&Dと製造能力拡大に使用される。また、急成長する同社の販売支援にも使用される。これによってハイパフォーマンスで無理なく買える価格のGaN-on-Si LED電球や照明器具の開発で確実に市場リーダーとなる、と同社は説明している。
　2006年来、ラティスパワーはシリコンベースGaN LED技術を開発してきており、世界的に200を超える特許を申請した。この技術で多くの競合が失敗しているところでラティスパワーは成功した。GaN-on-Siの開発は、GaN薄膜とシリコン基板との間の格子と熱膨張のズレが業界の頭痛の種となっていた。ラティスパワーは、一連の独自技術の開発でこの課題を克服し、ハイパフォーマンス、高品質、高信頼で手ごろな価格のLEDを製造できるようになった。効率は、150lm/Wだと言う。
　世界的に省エネと持続可能性に注目が集まっており、これがLED産業における精力的な開発と速いペースの成長の原動力になっている。ラクスリサーチ(Lux Research)によると、LED照明市場は2022年には世界規模で1000億ドルに届く。今回の新規資金調達と技術的ブレイクスルーによってラティスパワーは、直ちに中国における製造能力を拡大し、米国でもR&Dと製造ファシリティの場所を確保する。
(詳細は、www.latticepower.com)