II-VI､ファイバレーザ用22Wポンプレーザダイオード

January, 28, 2019, Saxonburg--II-VI Incorporatedは､シングルチップで最高出力22Wを達成する新世代ポンプレーザダイオードを発表した｡
　ファイバレーザは､過去数年の間に､産業材料加工の所有コスト向上の象徴である｡個々のレーザダイオードの出力向上は､レーザシステムにおけるコスト優位性をさらに高める｡II-VIの新しいレーザダイオードは、出力22Wを達成した､これは既存製品の22%増であり､これによってより少ないエミッタを使ったファイバレーザ設計が可能になる｡アプリケーションは､切断､溶接､ロウ着､レーザ積層造形｡
　｢当社の新レーザチップに対する繰延需要は強く､増産を始めている｡顧客は､ハイパワー半導体レーザ技術でII-VIのイノベーションにますます依存しており､これは性能､信頼性とコストに関して最も競争力のあるファイバレーザを製造するためである｣とII-VIレーザエンタプライズ､ジェネラルマネージャ､Karlheinz Guldenはコメントしている｡
　22Wポンプレーザダイオードは､915と976nmで提供している｡レーザチップの特徴は､出力端190µm､これは広く利用されている200µmコアファイバへの最適結合効率達成を目的に設計されたものである｡チップは､II-VI独自のE2フロントミラーパッシベーションを含む｡これは､超高出力でもレーザへの光学損傷を防ぐ｡新しいチップ世代は､4000時間加速寿命試験で品質評価を完了している｡
　II-VIのポンプレーザダイオードは､ベアダイ､チップ･オン･セラミックサブマウント､ファイバ結合マルチエミッタモジュールとして提供される｡ファイバレーザ向けII-VIの幅広いポートフォリオには､シードレーザ､音響光学変調器､ファイバブラッググレーティング､キロワットポンプと信号コンバイナ､ハイパワーアイソレータ用IBSコートレーザオプティクスとマイクロオプティクスが含まれる｡