Products/Applications 詳細

glō、micro-LED製造向けG5+ MOCVDシステム発注

September, 28, 2017, San Francisco--AIXTRON SEは、AIX G5+プラットフォームをglō-USA, Inc.から受注したと発表した。同グループは、独自の欠陥のないGaNナノワイヤ技術をベースにして、マイクロ-LED(mLED)製品の商用化に注力している。そのような3D構造により、無機材料系の信頼性を維持しながらmLEDの成長が可能になる。AIXTRONのAIX G5+ Planetary Reactorシステムが、glōの戦略的拡張の目的で選択され、2017年Q4に8×150mm構成で引き渡される。
 マイクロ-LED技術は、既存のディスプレイ技術への挑戦として、全てのTier1ディスプレイメーカーが、次世代コンシューマ製品のロードマップに乗せている。マイクロLEDディスプレイは、個々のサブピクセル素子を形成するマイクロサイズのLEDアレイで構成されている。既存のLCDやOLED技術と比較して、mLEDディスプレイは最も省エネでありながら、同時に優れたピクセル密度、コントラスト比と輝度を示している。したがって、プレミアムTVディスプレイやコンシューマモバイル製品に新たな地平を開く。
 glōのCEO、Fariba Danesh氏は、「ナノテクノロジーの領域での10余年の経験とノウハウに基づいて、当社は変革的な3色マイクロLEDディスプレイ技術を開発した。われわれの3色ピクセルは、GaN半導体材料だけでできている。当社は、この素晴らしい技術を量産ステージに移行させることに注力している。エピタキシャル構造の先に、mLEDの製造にはスケーラブルなプロセス、非常に厳しい均一性とエピタキシャルウエファの粒子的制御を必要としている。これによって歩留まりが最高度になり、それとともに当社のmLEDパートナーへコスト効率の優れた移転が可能になる。AIXTRONのAIX G5+ MOCVDシステムは、これら全ての要件を実現し、併せてバッチリアクタコンフィギュレーションにより低ファブ経済を維持する」とコメントしている。
(詳細は、www.aixtron.com)