GaN-on-Si LEDの市場シェア、1％から40%に急増

December, 6, 2013, Englewood--シリコン基板は安価であることは別にして、8インチCMOS半導体企業は成長を続けるGaN-on-Si LEDにシフトするのが相対的に安価であることに気づくとIHSは見ている。このため、GaN-on-Siは、サファイアやSiC基板で成長するLEDに対してますます普及する。
GaN-on-SiウェハのLED市場への浸透は、2013-2020年の期間でCAGR 69%で成長する。IHSのレポートによると、そのときまでに生産されるGaN LEDのシェアは40％となる。
2013年、GaN LEDの95％はサファイアウェハで生産されるが、シリコンウェハで造られるLEDはわずか1％。GaN-on-Si LEDの製造の伸びは、2013-2020年の間にサファイアとSiCウェハから市場シェアを奪う。
「サファイアから大きなインゴットを造るのは難しい、それに対してシリコンウェハは8インチから12インチまで使える。また、安価であり、豊富にある」と照明とLED担当シニアアナリスト、Dkins Cho氏は説明している。同氏によると、すでに大規模なシリコンベースの産業が存在し、これを利用して規模の経済によりLEDのコストを下げられる。
製造工場の目的を変更して、GaN-on-Siにシフトすることは投資を最小化するとして一般に受け入れられている。以前にCMOS半導体を製造していた企業は、すでにレガシー8インチCMOS製造ユニットを所有しており、これはわずかな変更でLED製造に転換できる。これらの企業はシリコンベースのプロセスに関連する専門家や技術を持っている。
「シリコン半導体メーカーの多くは、これまでのLED企業と異なり、すでに優れた検査装置を持っている。このため、現場観察を通じてプロセス歩留まりを上げることができる。とは言え、方向転換は一夜にしてできるものでもないようだ。当社の予測では、今後数年の間に起こることだ」と同氏はコメントしている。