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December 20, 2013, Santa Clara--MoSysは、同社のBandwidth Engine 2 - Access ICデバイスのサンプル提供開始を発表した。同デバイスは、現在市販のSRAMと比べてランダムアクセスパフォーマンスは4倍以上、アクセスパフォーマンスは2倍以上であると同社は説明している。
このデバイスは4個の144メガビットパーティションアーキテクチャをベースにしており、各々が375MHzで動作し、デュアルポート、ランダムアクセス機能をもつ。パーティションは、処理レートが飛躍的に高まるシングルバンク。
Bandwidth EngineファミリICは、40G、100G、400Gおよびそれ以上のアグリゲート帯域を必要とするハイパフォーマンス装置に最適化されており、パケットやデータ処理アプリケーションへの高速、インテリジェントアクセスを可能としている。従来のSRAMデバイスを用いた、ランダムアクセスを必要とするアプリケーションは全て144メガビットが限界となっている。MoSys MSR720は、この限界を打破して576メガビットとし、1秒間に最大45億アクセスを可能としているので、従来のSRAMと比較すると少なくとも2倍のアクセスレートとなる。デュアルポートパーティションはアドレス比較とデータバイパスに依存して、いかなるアクセス条件下でも首尾一貫したデータを保証するようにしている。特定のメモリロケーションで同時に読み書きできるので、MSR720は代替品に比べてパフォーマンス、効率の優位性は大きい。
MSR720の独自のデバイスアーキテクチャとシリアルインタフェースによってデータの完全一貫性、高いコマンド効率、簡素化されたスケジューリングを維持しており、結果として1秒間に最大4.5ギガアクセスのパフォーマンスを実現している。MSR720の、この高いアクセスレートと実効サイクルタイム縮小は、同じアドレスへの繰り返しアクセスが必要となる、状態メモリやキューイングアプリケーションの要求に最適である。
Bandwidth EngineファミリICは、高信頼、キャリアグレードアプリケーション用に設計、作製されており、実績もあり、アルテラやザイリンクスのASICやFPGAと健全な適合性を持つハイパフォーマンスSerDesベースGigaChipインタフェースを使用している。MSR720は、MSR620、MSR820とともに第2世代Bandwidth Engineデバイスの1つとなる。MoSysは、これらのデバイスのサンプル、試作品の受注を開始している。