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Yole Développement、「LED業界の現状」レポート
October 22, 2013, Lyon--Yole Développementは、「LED業界の現状」2013年版を発表した。
一般照明アプリケーション
LED業界の成長は小型ディスプレイアプリケーションから始まり、その後LCDディスプレイアプリケーションが牽引した。2012年、一般照明が全ての他のアプリケーションを凌駕し、パッケージドLED総売上の約39％を占めた。2011年のLED TV危機(市場の過大評価の結果)により、LED価格の下落、競争環境の強化という恩恵を受けた。実際、LEDベース照明製品の価格は、普及拡大よりも急速に下がり、LED技術の普及率を押し上げた。Yole Développementは、パッケージドLEDの市場規模は2013年に139億ドルに達し、2018年に160億ドルに上り詰めると見ている。この成長を後押しするのは主に一般照明アプリケーション(この予測期間で、総売上の45％から65％に増加)で、他にはディスプレイアプリケーション。
他のアプリケーション
ディスプレイとその他のアプリケーションについては、現在市場にあるほとんどの製品がLED技術を組み込んでいる。強い価格圧力とOLEDとの競合と相俟って飽和状態が、2013/2014年からこれらの市場の価格下落の原因となる。一般照明とは対照的に、供給過剰(価格圧力を含む)が予想よりも急激に市場規模の縮小に発展する。
新しい基板がサファイア優位の業界のルールを変える
サファイア(とSiC)がGaNエピタキシの基板として最も広く使われているが、多くの研究チームが、パフォーマンスや総所有コスト(TCO)の点でより優れた代替技術を見つけようと研究を進めている。SiやGaNは、LED業界で新たに開発された主要な基板。
・GaN-on-Si LEDのメリットは、安価なシリコン基板を使うことで製造コストを下げる点にある。8インチ基板に移行し、減価償却が完了した自動化されたCMOSファブを利用する。
・GaN-on-GaN LEDのメリットは、エピタキシャル層の欠陥密度が低い点にある。このため、デバイスの駆動電流を上げることができ、システムあたりのLEDデバイス数を減らして使うことができる。
ただし、克服すべき課題はある。
・GaN-on-Si LEDはGaN-on-Sapphire LEDのパフォーマンスに近いが、製造歩留まりの向上、CMOSファブへの完全適合が達成される必要がある。
・GaN-on-GaN LEDは、GaN基板の調達とそのコストに悩まされる。
GaN(GaN-on-GaN LED)は特殊ハイエンドニッチである程度の将来性があるが、Yole Développementはシリコン(GaN-on-Si LED)を、サファイアの代替となる本格的な競合技術と見ている。とは言え、GaN-on-Si LEDの成功は、LEDのパフォーマンスと製造技術の開発に依存すると同社は捉えている。
(詳細は、 www.yole.fr)
一般照明アプリケーション
LED業界の成長は小型ディスプレイアプリケーションから始まり、その後LCDディスプレイアプリケーションが牽引した。2012年、一般照明が全ての他のアプリケーションを凌駕し、パッケージドLED総売上の約39％を占めた。2011年のLED TV危機(市場の過大評価の結果)により、LED価格の下落、競争環境の強化という恩恵を受けた。実際、LEDベース照明製品の価格は、普及拡大よりも急速に下がり、LED技術の普及率を押し上げた。Yole Développementは、パッケージドLEDの市場規模は2013年に139億ドルに達し、2018年に160億ドルに上り詰めると見ている。この成長を後押しするのは主に一般照明アプリケーション(この予測期間で、総売上の45％から65％に増加)で、他にはディスプレイアプリケーション。
他のアプリケーション
ディスプレイとその他のアプリケーションについては、現在市場にあるほとんどの製品がLED技術を組み込んでいる。強い価格圧力とOLEDとの競合と相俟って飽和状態が、2013/2014年からこれらの市場の価格下落の原因となる。一般照明とは対照的に、供給過剰(価格圧力を含む)が予想よりも急激に市場規模の縮小に発展する。
新しい基板がサファイア優位の業界のルールを変える
サファイア(とSiC)がGaNエピタキシの基板として最も広く使われているが、多くの研究チームが、パフォーマンスや総所有コスト(TCO)の点でより優れた代替技術を見つけようと研究を進めている。SiやGaNは、LED業界で新たに開発された主要な基板。
・GaN-on-Si LEDのメリットは、安価なシリコン基板を使うことで製造コストを下げる点にある。8インチ基板に移行し、減価償却が完了した自動化されたCMOSファブを利用する。
・GaN-on-GaN LEDのメリットは、エピタキシャル層の欠陥密度が低い点にある。このため、デバイスの駆動電流を上げることができ、システムあたりのLEDデバイス数を減らして使うことができる。
ただし、克服すべき課題はある。
・GaN-on-Si LEDはGaN-on-Sapphire LEDのパフォーマンスに近いが、製造歩留まりの向上、CMOSファブへの完全適合が達成される必要がある。
・GaN-on-GaN LEDは、GaN基板の調達とそのコストに悩まされる。
GaN(GaN-on-GaN LED)は特殊ハイエンドニッチである程度の将来性があるが、Yole Développementはシリコン(GaN-on-Si LED)を、サファイアの代替となる本格的な競合技術と見ている。とは言え、GaN-on-Si LEDの成功は、LEDのパフォーマンスと製造技術の開発に依存すると同社は捉えている。
(詳細は、 www.yole.fr)
