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2012年、MOCVDとMBE基板生産は両方とも減少
October 10, 2013, Boston--ストラテジ・アナリティクス(Strategy Analytics)の調査によると、2012年、GaAsエピタキシャル基板の製造は落ち込んだ。これは、GaAsデバイス市場の成長鈍化と、携帯アプリケーションでマルチバンドGaAsパワーアンプの利用が増加した結果である。
ストラテジ・アナリティクスは、「半絶縁性GaAsエピタキシャル基板市場:2012-2017」と題する予測と展望レポートを発表した。このレポートは、半絶縁性(SI) GaAsエピタキシャル基板の総需要を推定している。基板のメーカーは、IQE, VPEC, Kopin, RFMD, Hitachi Cable, Intelliepi、Sumitomo。2012年の需要は、前年から約5％減で、約29,000ksi(kilo square inches)。同レポートの予測では、GaAsデバイス市場の需要低迷により、GaAsエピタキシャル基板需要の伸びが減速し、2017年には31,600ksiをわずかに上回るレベルとなる。
「GaAsエピタキシャル基板製造の落ち込みは、2012年にはMBEとMOCVDにも打撃を与えたが、均等にではなかった。MOCVD材料製造は、2011年に急増した後、2012年に約7％落ち込んだ。当社の調査結果では、MBEは前の2年で著しい打撃を受けたので、2012年は比較的安定しており、落ち込みはわずか1％足らずだった」(ストラテジ・アナリティクス、Eric Highamディレクタ)。
また、Asif Anwarディレクタは、「MOCVD製造の落ち込みは、成長トレンドが携帯電話のマルチバンドパワーアンプに向いていることを示唆している。MBEの小さな落ち込みは携帯電話から他の技術への転換が完了していることを示しており、MBEの能力は他のアプリケーションに使用されるようになっている」と分析している。
(詳細は、 www.strategyanalytics.com)
ストラテジ・アナリティクスは、「半絶縁性GaAsエピタキシャル基板市場:2012-2017」と題する予測と展望レポートを発表した。このレポートは、半絶縁性(SI) GaAsエピタキシャル基板の総需要を推定している。基板のメーカーは、IQE, VPEC, Kopin, RFMD, Hitachi Cable, Intelliepi、Sumitomo。2012年の需要は、前年から約5％減で、約29,000ksi(kilo square inches)。同レポートの予測では、GaAsデバイス市場の需要低迷により、GaAsエピタキシャル基板需要の伸びが減速し、2017年には31,600ksiをわずかに上回るレベルとなる。
「GaAsエピタキシャル基板製造の落ち込みは、2012年にはMBEとMOCVDにも打撃を与えたが、均等にではなかった。MOCVD材料製造は、2011年に急増した後、2012年に約7％落ち込んだ。当社の調査結果では、MBEは前の2年で著しい打撃を受けたので、2012年は比較的安定しており、落ち込みはわずか1％足らずだった」(ストラテジ・アナリティクス、Eric Highamディレクタ)。
また、Asif Anwarディレクタは、「MOCVD製造の落ち込みは、成長トレンドが携帯電話のマルチバンドパワーアンプに向いていることを示唆している。MBEの小さな落ち込みは携帯電話から他の技術への転換が完了していることを示しており、MBEの能力は他のアプリケーションに使用されるようになっている」と分析している。
(詳細は、 www.strategyanalytics.com)
