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ビンオプティクス、特許技術EFTをシリコンフォトニクスに組込む

August 22, 2013, Ithaca--ビンオプティクス(BinOptics Corporation)は、同社特許のEtched Facet Technology(EFT)を多様なシリコンフォトニックアプリケーションに組み込むことに成功した。
従来の劈開プロセスに対抗するEFTを用いてInPベースのレーザやその他の光コンポーネントを作製することによって、パフォーマンス、再現性、信頼性、品質が向上し、同時に無理のない製造コストを維持できる。
シリコンフォトニクスは重要技術として登場してきた。これによって、exaflopに向かうコンピューティングにおいてムーアの法則をそのまま維持することができる。同様にして、最近のデータコムインフラにおける進歩で、次世代の高速情報転送をサポートできる、経済的でありながら高信頼のレーザが必要になっている。
シリコンフォトニクス回路に赤外照射を提供する、効率的で高信頼、ノンハーメティックの光源が必要とされている。ビンオプティクスは、このような特殊仕様を満足する半導体レーザおよびその他のフォトニック素子をInP上に作製した。
EFTは、ビンオプティクスのCEO、Alex Behfar氏が考案し、これまでに世界に出荷された4000万個超のレーザで使用されている。
KoturaのCTO、Dr. Mehdi Asghariは、ビンオプティクスのEFTに関連して、「当社は、シリコンフォトニクスプラットフォーム向けに、高信頼、簡単集積、ノンハーメティック光源を提供してくれる経験豊富で革新的なInPパートナーを必要としていた。ビンオプティクスによって当社は新しい100Gbps光エンジンの市場投入を、予想を超えて早めることができた」とコメントしている。
(詳細は、 www.binoptics.com)

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