Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

March 5, 2013, Albuquerque--スコーピオン・テクノロジーズ(Skorpion Technologies, Inc)は、同社のSTABプロセスを用いて量産ファウンドリで作製したフルCバンドチューナブルCMOSフォトニックレーザを実証したと発表した。
このウエハスケール集積プロセスのアプリケーションは、プレーナ/気密封止フォトニックCMOS集積回路(IC)となる。さらに、スコーピオンのCMOSレーザICは、フリップチップボンディング、ターニングミラー、レンズやアクティブアライメントなど、後工程のアセンブリプロセスは一切必要としない。最初のデバイスの評価で、レーザパフォーマンスはデータセンタインタコネクトから、100Gbps超のデータレートをサポートする最高パフォーマンスのコヒレントLHシステムまでのアプリケーションに適していることが実証された。このレーザのパフォーマンスの利点として、狭線幅、高いサイドモード抑圧、広いチューニングレンジ、アクティブ冷却やハーメティックパッケージングの不要などが挙げられる。
ハイパフォーマンス達成に加えて、スコーピオンのSTABはオプトエレクトニックデバイスとCMOSとのウエハスケール、シングルチップ集積を作製するプロセスであり、これによって極めてローコストでスケーラブルなソリューションが実現可能となる。同社チーフサイエンティスト、Dr. Amit Mizrahiは、「スコーピオンの独自技術によって、従来の材料系でできるよりも高いパフォーマンスのデバイスが作製できる。今回実証されたCMOSレーザは、真の集積フォトニクスを展望する重要な1段階である」とコメントしている。
詳細は、3月19-21にアナハイムで開催されるOFC/NFOECで紹介される。