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200mmシリコンウェハ上に形成したGaN素子採用LED発売開始
December 19, 2012, Tokyo--東芝(Toshiba Corporation)は、LED照明に使用される白色LEDを製品化し、今月下旬から量産を開始する。
新製品は、200mmシリコンウェハ上にGaNを結晶成長させる「GaN-on-Si」LED素子を採用。この「GaN-on-Si」LED素子は、東芝と米・ブリッジラックス社(Bridgelux)が共同開発した素子で、現在一般的に使用されるサファイアウェハで形成したLED素子に比べ価格競争力がある。
近年、白色LEDは低消費電力、長寿命という特性により照明や液晶テレビのバックライト向けなど、様々な用途での使用が拡大しており、白色LEDの市場規模は2011年度の7000億円から2016年度には1兆2500億円になると予測されている。
東芝は、白色LEDの製品開発と拡販活動を進め、2016年度には10%の市場シェアを目指している。
新製品は、200mmシリコンウェハ上にGaNを結晶成長させる「GaN-on-Si」LED素子を採用。この「GaN-on-Si」LED素子は、東芝と米・ブリッジラックス社(Bridgelux)が共同開発した素子で、現在一般的に使用されるサファイアウェハで形成したLED素子に比べ価格競争力がある。
近年、白色LEDは低消費電力、長寿命という特性により照明や液晶テレビのバックライト向けなど、様々な用途での使用が拡大しており、白色LEDの市場規模は2011年度の7000億円から2016年度には1兆2500億円になると予測されている。
東芝は、白色LEDの製品開発と拡販活動を進め、2016年度には10%の市場シェアを目指している。