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エピスター、AZZURROの150mm技術でGaN-on-Siに移行
October 11, 2012, Taipei--エピスター(Epistar)とAZZURROは、GaN-on-SiベースLED実現の確認を発表した。これには、エピスターの高輝度LED構造、AZZURROの150mmGaN-on-Si特許技術が用いられている。
この共同プロジェクトの成功により、パフォーマンス向上が確認された。特に両社は、エピスターの既存サファイアベースLED構造をわずか16週という極めて短期間でGaN-on-Si材料システムに移行させた。これにより、GaN-on-Siが量産に一歩近づいたと両社は見ている。
GaN-on-Siは克服が難しい技術課題をともなうとされているが、AZZURRO独自の歪エンジニアリング技術を備えたテンプレートを利用することでエピタキシのエンジニアはLED構造を迅速にGaN-on-Siに移行させることができるようになる。さらに、特許となっている独自のバッファストレスマネージメントにより、LEDエピウェハの均一性改善が得られ、ビニングが減少し、歩留まりが向上する。
(詳細は、www.azzurro-semiconductor.com)
この共同プロジェクトの成功により、パフォーマンス向上が確認された。特に両社は、エピスターの既存サファイアベースLED構造をわずか16週という極めて短期間でGaN-on-Si材料システムに移行させた。これにより、GaN-on-Siが量産に一歩近づいたと両社は見ている。
GaN-on-Siは克服が難しい技術課題をともなうとされているが、AZZURRO独自の歪エンジニアリング技術を備えたテンプレートを利用することでエピタキシのエンジニアはLED構造を迅速にGaN-on-Siに移行させることができるようになる。さらに、特許となっている独自のバッファストレスマネージメントにより、LEDエピウェハの均一性改善が得られ、ビニングが減少し、歩留まりが向上する。
(詳細は、www.azzurro-semiconductor.com)
