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次世代HDD技術を実現するIQEのオン・シリコンIII-Vレーザ

October 10, 2012, Cardiff--IQE plcは、化合物半導体の光特性とシリコンの電子特性を組み合わせたエピタキシャルウェハを開発した。狙いは、次世代ハードディスクドライブ(HDD)向けにストレージ密度を高めることにある。
過去20年、コンシューマ向けディスクドライブの典型的なストレージ容量は、約20MBから2TB、10万倍に増えた。この容量増は、最先端の研究と技術革新の成果と言える。同じサイズを維持しながら、このような劇的な容量増を推し進めるために、次世代のディスクドライブは1TB/inch2を超えるストレージ能力が必要となる。
そのような高密度ストレージは、HAMR(熱補助型磁気記録)で実現可能であり、そこでの熱源として10mW超の出力を持つ半導体レーザが必要になる。
2012年8月、ハイパワー化合物半導体レーザとシリコン基板の組合せに成功したのがTyndall National Institute(Cork大学)、Semprius社、シーゲート・テクノロジー(Seagate Tecnology(Nature Photonics August edition)。ここでは、センプリウス固有のマイクロトランスファ印刷技術を用いてIQEの製造したエピタキシャル層に印刷した。光電子集積の実証レベルによって、HAMRはハイパフォーマンス、大容量、低コストストレージ市場で、高まる需要に応えられると見られている。

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