Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

September 11, 2012, Raleigh--Kyma Technologiesは、GaN結晶成長装置市場に参入すると発表した。狙いは、エネルギー効率のよい照明とパワーエレクトロニクスをサポートすることにある。
KymaのGaN結晶成長システムは、HVPE(hydride vapor phase epitaxy)成長プロセスをベースにしており、このプロセスは、GaN、GaAs、InP、CdSを含む、高純度の化合物半導体材料の生産で、実績のある高成長レートのアプローチであるとKymaは説明している。また、HVPE(ハイドラ気相成長法)は現在広く使われているプロセスであり、自立GaN基板の製造に用いられており、最近はKymaや他の企業もサファイアテンプレートで高品質GaN製造に、またシリコンテンプレートでGaN製造に用いている。HVPEで成長したGaNテンプレートは、単位面積やあたりのコスト、サイズの拡張性という点で自立GaNに対して大きな利点がある、とKymaは主張している。
「AlNとGaNテンプレート製品需要は増えているが、量産顧客の多くは社内にテンプレート製造プロセスを持ちたがっている」とKymaの社長/CEO、Keith Evans氏は語っている。同氏は、「当社の製品ラインにHVPE装置を追加することは当然のことであり、当社が今後発表を予定している新しい装置のうちの最初のものである」と続けている。
Kyma 100 HVPEシステムは、GaN材料製造用HVPEプロセス装置の設計、製造、アプリケーションにおける10年以上にわたる同社の経験をベースにしている。高純度、垂直フロー、高温壁設計が、成長率500μm/hでnタイプ伝導性GaN製造をサポートする。サファイアテンプレートに高品質GaNを製造するプロセスを特徴としており、同システムにより3つの直径2インチのウェハ、もしくは1つの4インチウェハを一度に成長可能となる。