Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

September 4, 2012, Ontario--Meaglow Ltd(株式非公開企業)は、同社の低温Migration Enhanced Afterglow(特許申請中)膜成長技術を使用してイエローで強く発光するInGaN厚膜を作製したと発表した。
この成果は、グリーンLEDやレーザダイオードの効率向上、製造コスト削減の前段となるものである、と同社は主張している。同社は現在、照明、ディスプレイ、医療、軍事アプリケーションなどの業界が必要とする材料特性に向けて強化するために、パートナーを求めている。
Meaglowの主席サイエンティスト、K. Scott Butcher教授は、「これはわたしの知る限りでは最高輝度のp-nジャンクションであり、しかもグリーンギャップの範囲だ。グリーギャップ(540-610nm)は、高効率照明アプリケーション開発で、大きな未解決の障害となっている」とコメントしている。
グリーン領域(赤と青の間)で造られるLEDは、急速に効率が落ちる。カラースペクトラムの中で緑と黄が「グリーンギャップ」として知られているが、この領域のスペクトラムは窒化物、リン化合物のいずれで作製したデバイスでも効率が低く、作製が難しい。Meaglowの装置は、同社特許申請中の中空陰極と低温成長プロセスを用いることでこの問題を克服する。同装置は、グリーンやイエローのダイオード製造に必要なインジウム、揮発性物質の成長に使える。
イエローで強く発光する窒化物デバイスができたことは、低温InGaN成長に向けて大きく前進したことであり、Meaglowの独自技術で作製したInGaNの品質実証となるものだ。このテストデバイスは、窒化物半導体研究分野で公開された。
Meaglowは現在、InGaN技術の商用化を目指しており、InGaNテンプレートレイヤを使った次世代デバイス実現に関心を持つパートナーを探している。