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AZZURROがGaN-on-Siエピウェハ製造にVeecoのMOCVD導入
July 27, 2012, Plainview--ビーコ(Veeco Instruments Inc)によると、ドイツのGaN-on-Si技術の先駆的企業、アズロセミコンダクタ(AZZURRO Semiconductors AG)が、TurboDisc K465i GaN MOCVDシステムを導入した。
このMOCVDシステムは、パワーセミコンダクタ、LEDウェハ、LEDテンプレートウェハ用GaN-on-Siウェハ製造に用いられる。
AZZURROのVPオペレーション、Dr. Markus Sickmöllerによると、同社の技術を用いた高品質、クラックフリー150mm標準シリコンウェハは結晶品質が優れており、反りも極めて少ない。VeecoのK464iを選択した理由として同氏は、パフォーマンス、プロセスの安定性、高スループットを挙げている。「GaN-on-Siは、LEDやパワーセミコンダクタ業界に高効率でコストが最適化されたコンポーネントの新しい波を引き起こすものだ」とコメントしている。
VeecoのMOCVD担当シニアVP、Jeff Hawthorne氏は、「Yole Développementの予測では、パワーエレクトロニクスデバイス市場は、2015年に250億ドルになる。また、GaNは従来のシリコンデバイスに比べると、デバイスの効率を高め、スイッチング速度を速める。さらに、GaN-on-Si技術を用いたLEDによりLEDコストが下がる。技術がR&Dから製造に移っているので、このGaN-on-Siアプリケーション向けのMOCVD装置需要は拡大すると見ている。K465システムを用いたGaN-on-Si製造の主なメリットは、低粒子数、優れた歩留まりなどだ」とコメントしている。
なお、AZZURROは、次世代GaN 200mmSi基板開発プロジェクトで、ヨーロッパ地域開発基金(ERDF)とSaxony自由州から助成金260万ユーロを獲得している。
このMOCVDシステムは、パワーセミコンダクタ、LEDウェハ、LEDテンプレートウェハ用GaN-on-Siウェハ製造に用いられる。
AZZURROのVPオペレーション、Dr. Markus Sickmöllerによると、同社の技術を用いた高品質、クラックフリー150mm標準シリコンウェハは結晶品質が優れており、反りも極めて少ない。VeecoのK464iを選択した理由として同氏は、パフォーマンス、プロセスの安定性、高スループットを挙げている。「GaN-on-Siは、LEDやパワーセミコンダクタ業界に高効率でコストが最適化されたコンポーネントの新しい波を引き起こすものだ」とコメントしている。
VeecoのMOCVD担当シニアVP、Jeff Hawthorne氏は、「Yole Développementの予測では、パワーエレクトロニクスデバイス市場は、2015年に250億ドルになる。また、GaNは従来のシリコンデバイスに比べると、デバイスの効率を高め、スイッチング速度を速める。さらに、GaN-on-Si技術を用いたLEDによりLEDコストが下がる。技術がR&Dから製造に移っているので、このGaN-on-Siアプリケーション向けのMOCVD装置需要は拡大すると見ている。K465システムを用いたGaN-on-Si製造の主なメリットは、低粒子数、優れた歩留まりなどだ」とコメントしている。
なお、AZZURROは、次世代GaN 200mmSi基板開発プロジェクトで、ヨーロッパ地域開発基金(ERDF)とSaxony自由州から助成金260万ユーロを獲得している。
