Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

July 25, 2012, Santa Barbara--カルフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)の研究チームは、m-プレーンGaN半導体ベースで初のバイオレットノンポーラVCSELを開発した。
これはLEDのパイオニアとして知られる中村修二研究チームによるVCSEL技術における成果であり、これにより様々なアプリケーションに向けて製造コストを削減し高効率のレーザに道がひらかれる。
中村研究室のDr. Daniel Feezellプロジェクトサイエンティストは、「われわれは、実用的な電気注入ノンポーラm-プレーン(面)窒化VCSELが室温で発振することを実証した。また、デバイスはウルツ鉱結晶の結晶学的m-プレーンに沿って偏向固定であることも示した。これは、一般にランダム偏向である大半のVCSELと対照的である」と説明している。
またUCSB材料学教授、中村氏は「これは、ノンポーラVCSELの初めての報告であり、レーザダイオード技術分野における最大ブレイクスルーの1つであると考えている。ノンポーラVCSELは、従来のc-プレーン(面)デバイスと比べると多くの利点がある。大きなアドバンテージの1つとして、光偏向が一方向に固定されていることが挙げられる。このデバイスのアプリケーションは多様で、照明、ディスプレイ、センサ、またエネルギー効率や小型化(SFF)を必要とする技術などが考えられる」と話している。
VCSELは、従来の端面発光レーザ技術に対して、アプリケーションによっては利点が大きい。また、VCSELは低しきい値電流、円形で拡散が小さな出力ビームを特徴としており、2Dアレイ集積も容易。
このノンポーラVCSELプラットフォームは高光利得であるため、デバイスの効率向上に貢献する。材料学教授、DenBaars氏は「ノンポーラVCSELによって、スマートフォン、モバイルシネマ向けピコプロジェクタのような新しい製品やアプリケーションも可能となる、また自動車の照明も考えられる」とコメントしている。
(詳細は、www.ucsb.edu)