Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

July 12, 2012, San Francisco--Imecは、300mmシリコンフォトニクスウェハ技術で光リソグラフィを用い世界初の100nmフォトニクスコンポーネント実現を発表した。
193nm液浸リソグラフィを用い、imecはこれまでに報告されているシリコンワイヤ導波路で最小の伝搬ロスを達成し、ファイバカプラのパタニングをより簡素に効率的にすることに成功した。Imecの成果は、CMOS業界標準に即してシリコンフォトニクス技術を確立する上で重要な一歩となる。
Imecの業界提携計画は、HPCシステムの広帯域I/O実現に向けてシリコンフォトニクスソリューションの利用を探るものとなっている。同計画では最先端のCMOS製造プロセスを用いてシリコンフォトニクスプロセス、デバイス、回路を開発している。これまでは、ナノフォトニクスコンポーネントの多くはeビームリソグラフィのようなラボスケールの技術を用いてしか実証されていない。Imecは、193nmリソグラフィや28nmCMOSプロセスを用い、業界適合の300mmウェハで実用的なSiナノフォトニクスデバイス実証に成功した。この成果は、シリコンフォトニクス技術をCMOS業界に普及させる上で重要である。
300mmウェハの光導波路は、1dB/㎝以下の極めて低い伝搬損失を実現している。さらに、imecは193nm液浸リソグラフィを用いて波長以下のパタニングを行い、光ファイバチップを実証。導波路や光ファイバカプラのパタニングに193nm液浸リソグラフィを適用することにより、imecはフォトニクスデバイスのプロセスで1つのパタニングステップを省略した。これによりプロセスコストが大幅に削減される。450nmのAWGでフェーズエラーが低いことを実証したことで、45nmマスク技術と193nm液浸リソグラフィを用いるimecのパタニングプラットフォームが極めて均一性が高い導波路をデバイスに作製できることを証明した。
この成果に関連してimecの光I/O計画ディレクタ、Philippe Absil氏は、「考えられるアプリケーションとしては次世代短距離インタコネクトで、2015年までには製造にとりかかる」とコメントしている。
この成果はゲント大学のimec関連ラボ、INTECおよびimecのコアCMOS計画の主要パートナーとの強力で得られた。