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日本ガイシ、超高輝度LED光源用窒化ガリウムウェハを開発
May 11, 2012, 名古屋--日本ガイシ(NGK)は、LED光源の発光効率をこれまでの2倍に高める高品質な窒化ガリウム(GaN)ウェハを開発した。
今回開発したGaNウェハは、NGK独自の単結晶育成技術である液相成長法を用いることで、ウェハ全面にわたる低欠陥密度と無色透明の両立を実現している。
NGKは、社外の研究機関の協力を得て、GaNウェハ上にLED素子を作製し、発光性能試験を実施。これにより、世界トップレベルの約90％の内部量子効率(注入電流200mA時)達成が確認された。市販されているLED光源の2倍の発光効率（200ルーメン/W）を実現でき、消費電力の50％削減や発熱の抑制による長寿命化、照明器具の小型化が可能になる。
NGKは今年度、「ウェハプロジェクト」を設立し、ウェハ関連製品の早期事業化を目指している。今後、液相成長法では世界初となる直径4インチのGaNウェハのサンプル出荷を今年中に開始する。また、「さらなる欠陥密度の低減と大口径化（直径6インチ）の実現に向けて開発を加速する」としている。
今回開発したGaNウェハは、NGK独自の単結晶育成技術である液相成長法を用いることで、ウェハ全面にわたる低欠陥密度と無色透明の両立を実現している。
NGKは、社外の研究機関の協力を得て、GaNウェハ上にLED素子を作製し、発光性能試験を実施。これにより、世界トップレベルの約90％の内部量子効率(注入電流200mA時)達成が確認された。市販されているLED光源の2倍の発光効率（200ルーメン/W）を実現でき、消費電力の50％削減や発熱の抑制による長寿命化、照明器具の小型化が可能になる。
NGKは今年度、「ウェハプロジェクト」を設立し、ウェハ関連製品の早期事業化を目指している。今後、液相成長法では世界初となる直径4インチのGaNウェハのサンプル出荷を今年中に開始する。また、「さらなる欠陥密度の低減と大口径化（直径6インチ）の実現に向けて開発を加速する」としている。
