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GaN-on-Siに向かうLEDメーカー
May 10, 2012, Boston--ストラテジィ・アナリティクス(strategy Analytics) GaAsと化合物半導体展望「化合物半導体業界2012年2月:オプトエレクトロニクス、材料と装置」は、コスト抑制GaN-on-Si製造プロセス開発を目的としてSemiLEDsとEpistarがビーコ(Veeco Instruments)から装置を購入したことを詳細にレポートしている。
LED市場は、需要軟化、政府補助金の減少、急激な価格低下に直面しており、メーカーはコスト構造を改善する新技術研究に取り組まざるを得なくなった、と同レポートは分析している。現在製造されているほとんどのLEDは、GaN-on-sapphire製造プロセスを使用している。LEDメーカーが、この製造プロセスからの脱却を探っているというのがストラテジィ・アナリティクスの見方だ。
「GaNは、多くのRF、パワーエレクトロニクス、LED市場で製品、プロセス展開が盛んに行われている。狙いは、LEDを製造するためのより低コストの方法を見いだすことだ。メーカーの中には、それはサファイアをシリコンで置き換えることだと考えているところもある」とストラテジィ・アナリティクスの化合物半導体担当ディレクタ、Eric Higham氏は見ている。
「プロセスには解決すべき課題は多いが、Nitronex, EPC, International Rectifierなどは、RFやハイパワーエレクトロニクス市場向けのアプリケーションで興味深い成果を上げている」と同社ディレクタ、Asif Anwar氏はコメントしている。
(詳細は、www.strategyanalytics.com)
LED市場は、需要軟化、政府補助金の減少、急激な価格低下に直面しており、メーカーはコスト構造を改善する新技術研究に取り組まざるを得なくなった、と同レポートは分析している。現在製造されているほとんどのLEDは、GaN-on-sapphire製造プロセスを使用している。LEDメーカーが、この製造プロセスからの脱却を探っているというのがストラテジィ・アナリティクスの見方だ。
「GaNは、多くのRF、パワーエレクトロニクス、LED市場で製品、プロセス展開が盛んに行われている。狙いは、LEDを製造するためのより低コストの方法を見いだすことだ。メーカーの中には、それはサファイアをシリコンで置き換えることだと考えているところもある」とストラテジィ・アナリティクスの化合物半導体担当ディレクタ、Eric Higham氏は見ている。
「プロセスには解決すべき課題は多いが、Nitronex, EPC, International Rectifierなどは、RFやハイパワーエレクトロニクス市場向けのアプリケーションで興味深い成果を上げている」と同社ディレクタ、Asif Anwar氏はコメントしている。
(詳細は、www.strategyanalytics.com)
