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リベールとトルンプ、次世代III-V高出力半導体レーザで提携
April 25, 2012, Bezons/Princeton--MBE装置とサービスを化合物半導体業界に提供しているリベール(Riber)は、次世代III-Vハイパワーレーザデバイスに向けたエピタキシプロセス技術でトルンプ(TRUMPF)と提携する契約を締結した。この契約は、ベルリンのフェルディナンドブラウン研究所でのプロセス認定成功を受けたものとなる。
トルンプの半導体プログラムは半導体レーザのハイパワー化と長寿命化を追求しており、トルンプフォトニクス(TRUMPF Photonics)とそのパートナーは、より高いパワー密度で半導体レーザの寿命を延ばすために端面パッシベーションプロセスを研究している。リベールとともに、GaAs端面に対する効果的パッシベーション技術に取り組んで行く。
端面パッシベーションプロセスは、最高品質のMBE(Molecular Beam Epitaxy)とバーベースレーザの基板を取り扱う技量の両方により実現される。トルンプが購入したリベールのMBE412により超高真空条件が可能になり、加工したウェハが自動的かつ迅速に生産できる。
(詳細は、www.riber.com)
トルンプの半導体プログラムは半導体レーザのハイパワー化と長寿命化を追求しており、トルンプフォトニクス(TRUMPF Photonics)とそのパートナーは、より高いパワー密度で半導体レーザの寿命を延ばすために端面パッシベーションプロセスを研究している。リベールとともに、GaAs端面に対する効果的パッシベーション技術に取り組んで行く。
端面パッシベーションプロセスは、最高品質のMBE(Molecular Beam Epitaxy)とバーベースレーザの基板を取り扱う技量の両方により実現される。トルンプが購入したリベールのMBE412により超高真空条件が可能になり、加工したウェハが自動的かつ迅速に生産できる。
(詳細は、www.riber.com)