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エピフォトニクス、PLZT 光スイッチの低損失化に成功
December 16, 2011, San Jose--エピフォトニクス(EpiPhotonics)は、ナノ秒の超高速光スイッチングが可能なPLZT光導波路の大幅な低損失化に成功した。
今回の開発では、先に開発した高効率電気光学材料であるPLZTを埋め込み型とした光導波路において、PLZT薄膜成長プロセスの改善やエッチングプロセスの改善などを行い、1dB/cm以下の低損失化に成功した。さらに、PLZT光導波路回路の最適化や光ファイバとの接続面の改善も完了し、従来10dBほどあった1×8光スイッチ(1入力8出力光スイッチ)の挿入損失は4dB台へ、新エネルギー・産業技術総合開発機構の助成事業で開発した4×4光スイッチでは5dB台へと、超高速光スイッチとして最高レベルの低損失化が実現された。
低損失化したPLZT光スイッチは、電圧駆動回路に実装され、世界最高速レベルの10ns以下での光ファイバ経路切り替えを、偏波無依存、低クロストーク、かつ10MHzでも数10mW程度の極低消費電力で行うことができる。ポート数も1×16および4×4の光スイッチまで製品化済で、ナノ秒(ns)光スイッチとしては最大規模となっている。
エピフォトニクスは、低損失化したPLZT光スイッチを1月にサンフランシスコで開催されるPhotonics West、および3月にロサンジェルスで開催されるOFCにおいて展示する。
この成果によって、光ルータ、光アクティブアクセス、光インターコネクション、光センシングなどの高速光スイッチングが必要なシステムだけでなく、多くのシステムへのPLZT光スイッチ応用が進み、光通信網の高効率化やデータセンタの低消費電力化へ貢献すると期待される。「すでに、光通信システムメーカーなどからの引き合いもあり、本開発成果を導入した光スイッチ製品を来春から出荷する予定」と同社では発表している。
今回の開発では、先に開発した高効率電気光学材料であるPLZTを埋め込み型とした光導波路において、PLZT薄膜成長プロセスの改善やエッチングプロセスの改善などを行い、1dB/cm以下の低損失化に成功した。さらに、PLZT光導波路回路の最適化や光ファイバとの接続面の改善も完了し、従来10dBほどあった1×8光スイッチ(1入力8出力光スイッチ)の挿入損失は4dB台へ、新エネルギー・産業技術総合開発機構の助成事業で開発した4×4光スイッチでは5dB台へと、超高速光スイッチとして最高レベルの低損失化が実現された。
低損失化したPLZT光スイッチは、電圧駆動回路に実装され、世界最高速レベルの10ns以下での光ファイバ経路切り替えを、偏波無依存、低クロストーク、かつ10MHzでも数10mW程度の極低消費電力で行うことができる。ポート数も1×16および4×4の光スイッチまで製品化済で、ナノ秒(ns)光スイッチとしては最大規模となっている。
エピフォトニクスは、低損失化したPLZT光スイッチを1月にサンフランシスコで開催されるPhotonics West、および3月にロサンジェルスで開催されるOFCにおいて展示する。
この成果によって、光ルータ、光アクティブアクセス、光インターコネクション、光センシングなどの高速光スイッチングが必要なシステムだけでなく、多くのシステムへのPLZT光スイッチ応用が進み、光通信網の高効率化やデータセンタの低消費電力化へ貢献すると期待される。「すでに、光通信システムメーカーなどからの引き合いもあり、本開発成果を導入した光スイッチ製品を来春から出荷する予定」と同社では発表している。