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NDSU研究者が新しいレーザアセンブリパッケージング技術を開発
October 25, 2011, Fargo--ノースダコタ州立大学(NDSU)で開発された新しいエレクトロニクス製造技術によって、従来のパッケージング技術の課題を解消し、マイクロエレクトロニクスデバイスのサイズとコストが大幅に削減されると期待されている。
Laser-Enabled Advanced Packaging(LEAP)と呼ばれる技術により、微小マイクロエレクトロニクスコンポーネントの大量取り扱い、装着、インタコネクトが初めて可能になる。
LEAPは、超薄型半導体チップを硬/軟(フレキシブル)両方の基板にローコスト、非接触で大量アセンブリすることを目的とした包括的なwafer-to-product電子部品パッケージング技術。同技術は2008年から、NDSU理工学センタでAdvanced Electronics Packaging研究グループが開発を進めてきた。NDSU研究グループは先頃、このLEAP技術を実装し、フレキシブル基板にレーザアセンブリされた超薄型シリコンチップで機能エレクトロニクスデバイスの製造に成功した。LEAPの主要部分は特許申請中の工程、Thermo-Mechanical Selective Laser Assisted Die Transfer(tmSLADT)。この工程は、選択的かつ迅速に超薄型(＜50µm)半導体チップを特定の場所、方向に高精度に配置することができる。研究者によると、このような超薄型で柔軟なコンポーネントを選択的に配置できる量産技術は他に存在しない。このような技術は、多様なアクティブ、パッシブ埋込コンポーネントを持つフレキシブル基板エレクトロニクスデバイス実現に不可欠となる。
(詳細は、IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, manuscript TCPMT-2011-105)
Laser-Enabled Advanced Packaging(LEAP)と呼ばれる技術により、微小マイクロエレクトロニクスコンポーネントの大量取り扱い、装着、インタコネクトが初めて可能になる。
LEAPは、超薄型半導体チップを硬/軟(フレキシブル)両方の基板にローコスト、非接触で大量アセンブリすることを目的とした包括的なwafer-to-product電子部品パッケージング技術。同技術は2008年から、NDSU理工学センタでAdvanced Electronics Packaging研究グループが開発を進めてきた。NDSU研究グループは先頃、このLEAP技術を実装し、フレキシブル基板にレーザアセンブリされた超薄型シリコンチップで機能エレクトロニクスデバイスの製造に成功した。LEAPの主要部分は特許申請中の工程、Thermo-Mechanical Selective Laser Assisted Die Transfer(tmSLADT)。この工程は、選択的かつ迅速に超薄型(＜50µm)半導体チップを特定の場所、方向に高精度に配置することができる。研究者によると、このような超薄型で柔軟なコンポーネントを選択的に配置できる量産技術は他に存在しない。このような技術は、多様なアクティブ、パッシブ埋込コンポーネントを持つフレキシブル基板エレクトロニクスデバイス実現に不可欠となる。
(詳細は、IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, manuscript TCPMT-2011-105)
