Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

August 30, 2011, Rehovot--ヴァイツマン科学研究所(Weizmann Institue)化学学部、Ernesto Joselevich教授の研究チームは、比較的長く、整然と整列した構造の半導体ナノワイヤを面上に成長させる方法を開発した。
微小なナノワイヤを支持も誘導もなく成長させるのは容易ではなく、ナノワイヤは不規則になり、半導体としての全潜在能力を利用することが難しくなる。ほとんどの先端技術の中核には制御された構造の半導体があるので、この新しい研究によってLED、レーザ、情報ストレージ媒体、トランジスタ、コンピュータ、PVなどの幅広いアプリケーションに適した、電気/光特性が向上した半導体ナノ構造が実現可能になる。
研究チームは、優れた光/電気特性を持つ垂直的なナノワイヤを作製する通常の方法を用いて、GaAsナノワイヤを成長させたが、これらの垂直ワイヤは、取り出してアレイにしようとすると無秩序になってしまう。この問題を回避するために研究チームは、サファイアを基板に用い、その上にナノワイヤを成長させた。しかし、滑らかな表面にナノワイヤを成長させるのではなく、研究チームは意図的にサファイアを結晶の異なる面に沿ってカットし、多様な表面パタン、異なる面のナノメートルサイズの段差、アコーデオン状、V-溝などのパタンなどを作製。
研究チームが最近Scienceに発表した結果によると、表面段差と溝が強い誘導効果を発揮し、ナノワイヤはエッジに沿って、あるいは溝内に水平に成長し、うまく整列した数mm長のナノワイヤアレイが作製されている。これと対照的に、滑らかな表面上にナノワイヤを水平アセンブリする現在の方法では、標準以下の特性のナノワイヤが無秩序にわずか数ミクロン長しか作製できない。
(詳細は、www.weizmann.ac.il)