Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

August 12, 2011, Livermore--ブリッジラクス(Bridgelux, Inc)は、同社の以前のGaN-on-Si発光効率業界最高記録を打ち破ったと発表した。
同社は、独自のバッファ層技術を使用して8インチシリコンウェハで亀裂のないGaN層を実証した。室温で反りがなく、シリコン基板GaN LEDのパフォーマンスと製造性向上で業界の先頭に立った、と同社は主張している。
Bridgeluxは、LEDのパフォーマンスレベルが今日最先端のサファイア基板LEDに比肩しうるものであることを実証しつつある。クールホワイトLEDは、CCT 4350Kで160Lm/Wの効率を達成。GaN-on-Siチップの暖白色LEDは、色温度2940K, CRI80で125Lm/Wだった。
従来のLEDは、出発材料としてサファイア基板やシリコンカーバイド基板を使用して造られている。いずれもシリコンよりも高価。そのため、製造コストが、家庭や商用ビルディングでのLED照明普及の制限要因となっている。しかし、大きくてローコストのシリコン基板でGaNを成長させることは、現在のアプローチに対してコスト的に75％の改善となる。Bridgeluxのプロセス技術はLED製造コストを大幅に落とすことができ、LEDを従来の白色照明技術と戦えるものにすることができる。
GaNの熱膨張係数はシリコンよりもかなり大きい。このミスマッチのために、エピタキシャル膜が割れたり、ウェハが反ったりする。これは、いずれもエピタキシャル成長中、あるいは室温でのことだ。Bridgelux独自のバッファ層プロセスが、ウェハを亀裂フリーにし、実際、ウェハは室温で反ることもなく、フラットになっている。
カプセル化した1.5mm青色LEDは、350mAで591mW、電力変換効率59％を達成している。このLEDは、350mAで極めて低い順方向電圧2.85Vとなっており、高い電流密度での使用に適している。駆動電流1Aで、LEDは1.52Wの青色出力となり、電圧は3.21V、電力変換効率は47％を達成。波長の均一性シグマ6.8nm が、中心波長455nmの8インチLEDウェハで実証されている。