Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

August 10, 2011, Raleigh--Kymaは、新たに10×10mm²、18×18mm²のGaN基板を追加した。また、量産用に2インチ径、それ以上のサイズのn＋GaN基板も開発中。
Kymaの新しいn＋GaN基板製品ラインは、バルク抵抗＜0.02Ω-㎝仕様となっており、これは同社の従来のnタイプGaNよりも2桁小さい。
さらに、同社はキャリア密度6×10¹⁸㎝^-3、対応するバルク抵抗性＜0.005Ω-㎝のn＋バルクGaNウェハの製造に成功している。
Kymaによると、n–GaNは多様な材料やデバイス研究にとって優れた出発原料、同社のn＋GaNは、垂直デバイスにとって有益であり、全てのデバイスにとって接触抵抗が低くなる。垂直電源デバイスにとっての重要な利点は、超低オン抵抗、寄生抵抗の減少など。LEDにとっての主要な利点は、低垂直抵抗と電流集中効果の緩和。
同社の説明によると、新製品ラインはエレクトロン密度を高くしたことで、数多くのデバイスアプリケーションでパフォーマンスと信頼性の向上をサポートするものとなっている。