Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

July 19, 2011, Palo Alto--トランスルーセント(Translucent, Inc)は、ローコストLED成長用途に独自のDBRミラー付GaN-on-Siウェハテンプレートを開発した。同社は、ローコスト、ハイパフォーマンスエピタキシ向けに希土類酸化物(REO)を加えたシリコン基板を提供している。
トランスルーセントは、100mm径ウェハ開発の技術詳細を報告する予定。同ウェハは、シリコン基板上に格子整合希土類酸化物を用いることで高反射率を実現。この構造は、LED構造成長用の窒化エピタキシをサポートするGaN層で覆われている。REO材料系による格子技術は、シリコン(111)基板にエピタキシ成長するもので、GaN成長中に生ずる歪を緩和するために用いられる。REO材料はさらに、シリコン基板中に高反射ミラーを形成する。この新技術は、大口径ウェハ上にLEDを成長しようとしている顧客に提供される。
トランスルーセントのシリコンソリューションによって、後続工程での基板の除去とウェハのハンドリングが不要になる。LED業界はウェハの大規模化に移行しつつあるので、ワンステップのエピタキシャルソリューションはコスト効率の優れた拡張への最良のステップを提供するものと期待されている。
トランスルーセントの新しいシリコンソリューション(ミラーSi)によるLEDはDBRミラー付GaN-on-Siテンプレート上に直接成長し、シリコン基板と格子整合がとれている。このDBRミラー上に、同社パテントになっている独自のREO層があり、これによってGaNがテンプレートを覆い、後続工程での基板除去を不要としている。
計算上、格子整合REO材料の超薄層、LED出力波長450nmで、ミラーの反射率は98％を上回る。この材料はトランスルーセントの工場でMBEを用いて成長させた。成長品質は極めて優れており、同社は150mm、200mmウェハでの商用化を準備している。
(詳細は、International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) PD論文)